600V、低オン抵抗の低周波アプリケーション向けMOSFET:インフィニオン 600V CoolMOS S7
インフィニオン テクノロジーズは、低周波アプリケーション向けMOSFET「600V CoolMOS S7」ファミリーを開発した。アクティブブリッジ整流やインバーター、PLC、ソリッドステートリレーなどの用途に適している。
インフィニオン テクノロジーズは2020年3月、低周波アプリケーション向けMOSFET「600V CoolMOS S7」ファミリーを開発したと発表した。アクティブブリッジ整流やインバーター、PLC、ソリッドステートリレー、ソリッドステートブレーカーなどの用途に適している。
「600V CoolMOS S7」TO-220型パッケージ
同ファミリーは、最適化した導通性能、熱抵抗の向上、高パルス電流耐量などを特徴とする。導通損失を最小限に抑え最小のレスポンス時間を実現するとともに、低周波スイッチングアプリケーションの効率を向上させる。
ラインアップは、10mΩ品、22mΩ品、40mΩ品、65mΩ品をそろえる。特に10mΩ品は、「業界最小のオン抵抗を実現したデバイスだ」としている。10mΩ品はトップサイド冷却型QDPAK、22mΩ品は小型TOリードレス(TOLL)SMDパッケージおよびTO-220型、40mΩ品と65mΩ品はTOリードレス型パッケージで提供する。
22mΩ品、40mΩ品、65mΩ品は既に販売されており、10mΩ品は同年7〜9月の販売開始を予定している。
TOリードレス(TOLL)SMDパッケージ/トップサイド冷却型QDPAKパッケージ
- 48V系車載用100V耐圧NチャネルパワーMOSFET
東芝デバイス&ストレージは、48V系車載用途向けの100V耐圧NチャンネルパワーMOSFET「XPH4R10ANB」「XPH6R30ANB」を発売した。ウェッタブルフランク構造のSOP Advanceパッケージを採用しており、基板実装状態の自動外観検査が可能だ。
- 30V耐圧の汎用NチャンネルMOSFET
トレックス・セミコンダクターは、30V耐圧の汎用NチャンネルMOSFET「XP231N0201TR」を発表した。静電対策として、ゲート保護ダイオードを内蔵する。
- 低オン抵抗汎用PチャンネルMOSFET
トレックス・セミコンダクターは、低オン抵抗で高速スイッチング特性を備えた、汎用PチャンネルMOSFET「XP23」シリーズを発表した。オン抵抗は0.33〜5Ωで、耐圧は30V、ドレイン電流は0.2〜1.5Aとなっている。
- 電力密度を向上できる、60VのNチャネルMOSFET
ビシェイ・インターテクノロジーは、60VのNチャネルMOSFET「SiSS22DN」を発表した。標準ゲートドライブ向けに最適化され、オン抵抗は4mΩと、競合製品に比べて4.8%低い。
- 1200V、80mΩの産業・車載向けSiC MOSFET
オン・セミコンダクターは、産業用・車載用として認証済みのNチャンネルSiC MOSFETの新製品を発表した。インダストリアルグレードの「NTHL080N120SC1」と、AEC-Q101準拠のオートモーティブグレードの「NVHL080N120SC1」を提供する。
- 高速リカバリ対応の600V耐圧パワーMOSFET
STマイクロエレクトロニクスは、高速リカバリボディダイオードを内蔵した、600V耐圧パワーMOSFET「MDmesh DM6」ファミリーを発表した。
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