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最大効率98.4％、車載向け650V耐圧MOSFET：インフィニオン 650V CoolMOS CFD7Aシリーズ

インフィニオンテクノロジーズは、650V耐圧MOSFET「650V CoolMOS CFD7A」シリーズを発売した。最大475Vのバッテリー電圧に対応するほか、ケルビンソース接続により、最大効率は98.4％まで向上する。

» 2020年05月27日 09時00分公開

[EDN Japan]

　インフィニオンテクノロジーズは2020年4月、車載向けの650V耐圧スーパージャンクションMOSFET「650V CoolMOS CFD7A」シリーズを発売した。車載充電器システムのPFC（力率改善）ステージとDC-DCステージ、電気自動車（EV）用のHV-LV DC-DCコンバーター、補助電源に適している。

車載向けMOSFET「CoolMOS CFD7A」シリーズ

PFCステージやDC-DCステージに最適

　ドレインとソース／ゲート間の沿面距離を4.2mmと長くしたことで、最大475Vのバッテリー電圧に対応する。ケルビンソース接続により、最大効率は98.4％まで向上する。高速ボディーダイオードを搭載し、従来製品に比べてQrr（逆回復電荷量）を30％削減した。

　ゲート損失を抑えつつ、スイッチング周波数を高速化したことで、電力密度が高く、コンパクトな設計が可能になった。宇宙放射線に対しても堅牢で、車載製品が置かれる厳しい環境にも対応。また、従来より高いバッテリー電圧を印加できる。

　パッケージは、スルーホールのTO-220、TO-247、ショートリードタイプのTO-247、SMDの3ピンD2PAK、7ピンD2PAKパッケージを用意する。特に、D2PAK7ピンパッケージでは、より高い効率特性と熱特性、長い沿面距離を備える。

48V系車載用100V耐圧NチャネルパワーMOSFET
東芝デバイス＆ストレージは、48V系車載用途向けの100V耐圧NチャンネルパワーMOSFET「XPH4R10ANB」「XPH6R30ANB」を発売した。ウェッタブルフランク構造のSOP Advanceパッケージを採用しており、基板実装状態の自動外観検査が可能だ。
30V耐圧の汎用NチャンネルMOSFET
トレックス・セミコンダクターは、30V耐圧の汎用NチャンネルMOSFET「XP231N0201TR」を発表した。静電対策として、ゲート保護ダイオードを内蔵する。
2段階ドライブ能力を持つ絶縁型ゲートドライバー
アナログ・デバイセズは、2段階のドライブ能力を持つ絶縁型ゲートドライバー「ADuM4122」を発表した。同ドライバーを採用することで、低速および高速スイッチングへの動的な移行が可能となり、高効率のままEM放射と消費電力を抑えられる。
低オン抵抗汎用PチャンネルMOSFET
トレックス・セミコンダクターは、低オン抵抗で高速スイッチング特性を備えた、汎用PチャンネルMOSFET「XP23」シリーズを発表した。オン抵抗は0.33～5Ωで、耐圧は30V、ドレイン電流は0.2～1.5Aとなっている。
電力密度を向上できる、60VのNチャネルMOSFET
ビシェイ・インターテクノロジーは、60VのNチャネルMOSFET「SiSS22DN」を発表した。標準ゲートドライブ向けに最適化され、オン抵抗は4mΩと、競合製品に比べて4.8％低い。
高耐圧パワーMOSFET内蔵のコンバーター
STマイクロエレクトロニクスは、1050V耐圧のNチャンネルパワーMOSFETを内蔵する高電圧コンバーター「VIPer26K」を発表した。単相および3相スマートメーター、3相の産業機器、エアコン、LED照明用の電源などで活用できる。