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過電圧防止機能搭載のMOSFETゲートドライバIC：東芝 TCK42xGシリーズ

東芝デバイス＆ストレージは、外部NチャンネルMOSFETのバックトゥバック接続に対応したMOSFETゲートドライバIC「TCK42xG」シリーズ第1弾として、20V電源ライン向け「TCK421G」の出荷を開始した。

» 2022年02月28日 09時00分公開

[EDN Japan]

　東芝デバイス＆ストレージは2022年2月、外部NチャンネルMOSFETのバックトゥバック接続に対応した、MOSFETゲートドライバIC「TCK42xG」シリーズを発表した。第1弾として、20V電源ライン向け「TCK421G」の出荷を開始している。大きさ1.2×0.8mmのWCSP6Gパッケージで提供し、ウェアラブル端末、スマートフォン、ノートPC、タブレットデバイス、ストレージ機器に適する。

MOSFETゲートドライバIC「TCK42xG」シリーズ出所：東芝デバイス＆ストレージ

外付けNチャンネルMOSFETと組み合わせ可能

　TCK42xGシリーズは、チャージポンプ回路を内蔵し、過電圧防止機能により、入力電圧に応じて外付けMOSFETのゲート電圧を制御できる。今後、全6品種をラインアップし、過電圧保護は5～24Vに対応する予定だ。

　外付けMOSFETのゲートソース間電圧に対応するため、ゲート出力電圧は5.6Vまたは10Vとする。ユーザーは用途に応じて、過電圧保護機能、ゲート出力電圧を選べる。

　TCK421Gの入力電圧は2.7～28V、5V時のスタンバイ電流は－40～＋85℃の範囲で最大0.5μA。外付けNチャンネルMOSFETと組み合わせることで、逆流防止機能を備えたロードスイッチ回路やパワーマルチプレクサ回路に適用できる。外付けMOSFETに対して間欠動作で安定した電圧を供給することで、大電流のスイッチングを可能にする。

48V電源向けデュアルハイサイドゲートドライバ
インフィニオンテクノロジーズは、車載など48Vバッテリーシステム向けのデュアルチャンネルハイサイドゲートドライバ「EiceDRIVER 2ED4820-EM」を発表した。大電流負荷のスイッチングに適する。
センサーレス70WブラシレスDCモータードライバ
日本テキサス・インスツルメンツは、コーディング不要のセンサーレス70WブラシレスDCモータードライバ「MCF8316A」「MCT8316A」を発表した。高速応答と静音性能を必要とする家電や医療デバイスに適する。
GaN FET向けハーフブリッジゲートドライバIC
STマイクロエレクトロニクスは、エンハンスメント型GaN（窒化ガリウム）FETの高周波スイッチングを実現するハーフブリッジゲートドライバ「STDRIVEG600」を発表した。最大6Vのゲートソース間電圧をGaNパワーデバイスに印加できる。ハイサイド回路は最大600V耐圧で、500Vまでの高電圧アプリケーションに利用可能だ。
モーター制御用3相ゲートドライバIC
インフィニオンテクノロジーズは、モーター制御用3相ゲートドライバICの「EiceDRIVER 6EDL7141」を発表した。フルプログラム可能で、バッテリー駆動の工具、ドローン、電動バイク、ロボットなどに適する。
EV充電向けのSiC MOSFETモジュール
オン・セミコンダクターは、EV充電ステーション向けの1200VフルSiC MOSFET 2パックモジュール「NXH010P120MNF1」「NXH006P120MNF2」を発表した。プレーナー技術を活用し、18〜20Vの駆動電圧に対応する。
駆動電流4Aの絶縁型ゲートドライバ
STマイクロエレクトロニクスは、絶縁型ゲートドライバ「STGAP」ファミリーに、駆動電流4Aの「STGAP2SiCS」を追加した。6kVのガルバニック絶縁を内蔵し、最大1200Vの高電圧レールで動作する。