過電圧防止対応のMOSFETゲートドライバーICを拡充 : 東芝 TCK42xGシリーズ
東芝デバイス&ストレージは、過電圧防止機能を備えたMOSFETゲートドライバーIC「TCK42xG」シリーズに、5製品を追加した。1.2×0.8mmのWCSP6Gパッケージで提供し、小型機器の5〜24V電源ラインに対応する。
東芝デバイス&ストレージは2022年6月、過電圧防止機能を備えたMOSFETゲートドライバーIC「TCK42xG」シリーズを拡充し、新たに5製品を発売した。1.2×0.8mmのWCSP6Gパッケージで提供し、ウェアラブル端末、スマートフォン、ノートPC、タブレットデバイス、ストレージなど小型機器に適する。
MOSFETゲートドライバーIC「TCK42xG」シリーズ 出所:東芝デバイス&ストレージ
新製品は、24V電源ライン用の「TCK420G」、12V電源ライン用の「TCK422G」「TCK423G」、9V電源ライン用の「TCK424G」、5V電源ライン用の「TCK425G」の5製品だ。
2.7〜28Vの入力電圧に対応したチャージポンプ回路を内蔵し、ゲートソース間電圧は5.6Vまたは10Vの2種類。間欠動作で安定した電圧を供給することで、大電流のスイッチングを可能にした。5V時のスタンバイ電流は、−40〜+85℃の範囲で最大0.5μAとなる。
外部NチャンネルMOSFETのバックトゥバック接続に対応するため、逆流防止機能を備えたロードスイッチ回路やパワーマルチプレクサー回路にも適する。公開中の「パワーマルチプレクサー回路のリファレンスデザイン」でも紹介している。
過電圧防止機能搭載のMOSFETゲートドライバIC
東芝デバイス&ストレージは、外部NチャンネルMOSFETのバックトゥバック接続に対応したMOSFETゲートドライバIC「TCK42xG」シリーズ第1弾として、20V電源ライン向け「TCK421G」の出荷を開始した。
48V電源向けデュアルハイサイドゲートドライバ
インフィニオン テクノロジーズは、車載など48Vバッテリーシステム向けのデュアルチャンネルハイサイドゲートドライバ「EiceDRIVER 2ED4820-EM」を発表した。大電流負荷のスイッチングに適する。
次世代EVや産業向け第3世代SiCパワーMOSFET
STマイクロエレクトロニクスは、第3世代SiCパワーMOSFETを発表した。電力密度や電力効率、信頼性を必要とする車載用および産業用途に適する。
センサーレス70WブラシレスDCモータードライバ
日本テキサス・インスツルメンツは、コーディング不要のセンサーレス70WブラシレスDCモータードライバ「MCF8316A」「MCT8316A」を発表した。高速応答と静音性能を必要とする家電や医療デバイスに適する。
GaN FET向けハーフブリッジゲートドライバIC
STマイクロエレクトロニクスは、エンハンスメント型GaN(窒化ガリウム)FETの高周波スイッチングを実現するハーフブリッジゲートドライバ「STDRIVEG600」を発表した。最大6Vのゲートソース間電圧をGaNパワーデバイスに印加できる。ハイサイド回路は最大600V耐圧で、500Vまでの高電圧アプリケーションに利用可能だ。
モーター制御用3相ゲートドライバIC
インフィニオン テクノロジーズは、モーター制御用3相ゲートドライバICの「EiceDRIVER 6EDL7141」を発表した。フルプログラム可能で、バッテリー駆動の工具、ドローン、電動バイク、ロボットなどに適する。
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