オンセミは、EV向けDC高速充電器とESS向けの双方向充電機能を有する、9種の「EliteSiCパワー統合モジュール(PIM)」を発表した。従来のSi(シリコン) IGBT製品に比べてサイズを最大40%、重量を最大52%低減できる。
オンセミは2024年1月、EV(電気自動車)向けDC高速充電器とESS(エネルギー貯蔵システム)向けの双方向充電機能を有する、9種の「EliteSiCパワー統合モジュール(PIM)」を発表した。
高効率でシンプルな冷却機構を採用し、従来のSi(シリコン) IGBTベースのソリューションに比べてサイズを最大40%、重量を最大52%低減できる。EliteSiC PIMを採用することで、小型かつ軽量ながら、15分でEVのバッテリーを最大80%充電するシステムを開発できる。
25k〜100kWの出力電力をサポートし、双方向充電を含む複数のDC急速充電とESSプラットフォームを迅速に展開できる。オンセミの「Gen3 M3S」SiC(炭化ケイ素) MOSFET技術を使用していて、低スイッチング損失と高効率を可能にした。
パッケージは、F1およびF2を採用。熱界面材料(TIM)の事前塗布と圧力ピンをオプションで備えている。最適な熱管理が可能になるため、過熱によるシステム障害を回避できる。
同社では、各モジュールに同じウエハーからのダイを使用している。他社のディスクリート製品を使用する必要がなく、性能にばらつきが生じることもない。
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トップサイド冷却パッケージ採用MOSFETCopyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
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