上面放熱パッケージの1200V SiC MOSFET、Nexperia：PCBからの放熱も軽減

Nexperiaは、表面実装（SMD）上面放熱パッケージ「X.PAK」を採用した、産業向け1200V SiC MOSFET製品シリーズを発表した。太陽光発電インバーターやバッテリー蓄電システムなどでの用途に適する。

[EDN Japan]

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　Nexperiaは2025年3月、表面実装（SMD）上面放熱パッケージ技術「X.PAK」を採用した、産業グレードの1200V SiC MOSFET製品シリーズを発表した。オン抵抗が30mΩの「NSF030120T2A0」、40mΩの「NSF040120T2A1」、60mΩの「NSF060120T2A0」を用意している。

X.PAK採用の1200V SiC MOSFET 出所：Nexperia

　X.PAKでは、リードフレームにヒートシンクを直接取り付けられる。筐体上部からの放熱を促進することで熱特性が向上する。また、プリント基板（PCB）からの放熱による影響も軽減する。

動作温度範囲におけるオン抵抗の増加を38％に抑制

　25～175℃の動作温度範囲において、オン抵抗の公称値の増加を38％に抑えた。同社発表によると、既存製品の多くはデバイスの動作温度が上昇すると公称値が100％以上増加するため、大きな導通損失が発生するという。

　太陽光発電インバーターやバッテリー蓄電システム（BESS）、無停電電源装置（UPS）、モータードライブといった産業用途、充電ステーションなどの電気自動車（EV）向け充電インフラでの用途に適する。

　サイズは14×18.5mm。2025年4月にはオン抵抗17mΩの製品も追加予定で、2025年下半期には80mΩ品やX.PAKを用いた車載用SiC MOSFETも発売する計画だ。

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