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低VF／低IRの保護用ショットキーバリアダイオード、ローム：低VF特性を保護用途に応用

ロームは、低VFと低IRのトレードオフを両立した、保護用SBD「RBE01VYM6AFH」を開発した。ADASカメラなど、高画素化が進むイメージセンサー搭載機器に向けた保護ソリューションを提供する。

» 2025年10月02日 09時00分公開

[EDN Japan]

保護用ショットキーバリアダイオード「RBE01VYM6AFH」出所：ローム

　ロームは2025年9月、低順方向電圧（V_F）と低逆方向電流（I_R）のトレードオフを両立した、保護用ショットキーバリアダイオード（SBD）「RBE01VYM6AFH」を開発したと発表した。既に量産を開始していて、サンプル価格は1個130円（税別）だ。

　同製品は、整流用途で用いるSBDの低V_F特性を保護用途に応用したものだ。先進運転支援システム（ADAS）カメラなど、高画素化が進むイメージセンサー搭載機器に向けた保護ソリューションを提供する。

独自の素子構造を採用

　同社独自の素子構造を採用したことで、低V_Fと低I_Rを両立した。周辺温度－40℃でのV_Fを300mV未満（I_F＝7.5mA）、＋125℃でのI_Rを20mA未満（V_R＝3V）に抑えている。これにより、アプリケーション停止時の光起電圧による回路破壊や動作中の熱暴走、誤動作を防ぐ。

過酷環境下での特性比較出所：ローム

　パッケージは、2.5×1.4mmのSOD-323HEを採用。狭小スペースへの対応が必要な車載カメラや産業機器、防犯カメラなど幅広い用途に適用できる。車載電子部品規格AEC-Q101にも準拠した。

精度±5％の電流センス採用ゾーンECU向けハイサイドIPD、ローム
ロームは、ゾーンECU向けハイサイドIPD「BV1HBxxx」シリーズを6品種で製品化した。容量負荷駆動能力が高く、ゾーンECUと出力負荷の接続部での用途に最適。月産20万個体制で量産を開始している。
実装面積を52％削減　高電力密度のOBC向けSiCモジュール、ローム
ロームは、4個または6個のSiC MOSFETを内蔵した、SiCモールドタイプモジュール「HSDIP20」を発表した。750V耐圧品「BSTxxx1P4K01」を6品番、1200V耐圧品「BSTxxx2P4K01」を7品番用意する。
「業界トップ」の低オン抵抗　急速充電向けMOSFET、ローム
ロームは、Nチャンネル30V耐圧コモンソース構成のMOSFET「AW2K21」を開発した。2.0×2.0×0.55mmパッケージでのオン抵抗が2.0mΩと低く、部品面積当たりのオン抵抗も低減できる。
サーバの高効率化に　低オン抵抗／高耐量のパワーMOSFET
ロームは、低オン抵抗で高耐量のNチャンネルパワーMOSFET「RS7E200BG」「RS7N200BH」「RS7N160BH」を発表した。5.0×6.0mmのDFN5060-8Sパッケージを採用し、同サイズのHSOP8と比較して、パッケージ内のチップ面積が約65％拡大した。
小型／高放熱TOLLパッケージの650V耐圧GaN HEMT
ロームは、TOLLパッケージの650V耐圧GaN HEMT「GNP2070TD-Z」の量産を開始した。産業機器や車載機器の中でも、大電力対応が求められるアプリケーションに適している。