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PAM4信号に適した半導体光増幅器　データセンター用光トランシーバー向け：AlN製小型キャリアを採用

アンリツは、1.31μm帯の半導体光増幅器「AA3TB10EY」の販売を開始した。データセンター間接続で用いる光トランシーバー向けの製品で、光通信機器メーカーなどでの利用を見込む。

» 2026年08月06日 09時00分公開

[EDN Japan]

　アンリツは2026年7月、1.31μm帯の半導体光増幅器（SOA）「AA3TB10EY」の販売を開始した。データセンター間接続で用いる光トランシーバー向けの製品で、光通信機器メーカーなどでの利用を見込む。

　同製品は、飽和出力11.5dBmと雑音指数5.8dBを両立した。SOAチップを窒化アルミニウム（AlN）製の小型キャリアに搭載したチップキャリアタイプを採用し、高密度実装に対応する。シリコンプラットフォームとの親和性も高く、小型かつ高性能な光トランシーバーの設計に適する。

PAM4信号を増幅可能

半導体光増幅器「AA3TB10EY」［クリックで拡大］出所：アンリツ

　中心波長1310nmにおいて、光学利得10dB、偏波依存利得1.5dB、飽和出力11.5dBm、雑音指数5.8dBの特性を備えた。PAM4信号の増幅に適していて、偏波依存利得を低く抑えることで、入力信号の波形を維持したまま増幅できる。400GbE、800GbE、1.6TbEのERおよびZR光トランシーバーでの用途を想定している。

　AIの普及を背景にデータセンターネットワークの高速化、大容量化が進み、機器間接続に用いる光トランシーバーではPAM4伝送方式の採用が拡大している。これに伴い、高品質な信号を維持できる高飽和出力かつ低雑音のSOAに対する需要が高まっているという。

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