SJ-MOSFETとIGBTをいいとこどり、ロームが「Hybrid MOS」を開発：ローム Hybrid MOS

ロームは、スーパージャンクション構造のMOSFET（SJ-MOSFET）とIGBTのデバイス構造を融合させ、SJ-MOSFETの高速スイッチング特性、低電流性能と、IGBTの高耐圧特性を兼ね備える新型トランジスタ「Hybrid MOS」を開発した。低電流領域から大電流領域までフルレンジでの省エネ化が可能になる。

[EDN Japan]

　ロームは2013年4月、サーバや産業機器、家電などの電源やPFC（力率改善）回路向けに、新しいデバイス構造を用いた高耐圧新型トランジスタ「Hybrid MOS」を開発した。機器の大幅な省エネ化に貢献できるという。2013年夏ごろからのサンプル出荷を予定する。

　この新型トランジスタは、スーパージャンクション構造のMOSFET（以下、SJ-MOSFET）とIGBTのデバイス構造を組み合わせた新構造を採用した。

「Hybrid MOS」はすべての領域で高い効率を示す（クリックで拡大） 出典：ローム

　SJ-MOSFETは、高速なスイッチング性能や低電流領域での特性に優れ、主に家電などで使用される。IGBTは、高温・大電流領域での特性が良く、産業機器など大電力を必要とする機器のPFC回路などで用いられる。ロームは、SJ-MOSFETのウエハー裏面を制御する技術により、SJ-MOSFETの利点を維持しながら、大電流動作時での効率をIGBT以上に高めたHybrid MOSの開発に成功したという。

　これまでSJ-MOSFETを用いていた家電などに適用すると、低電流で動作する定常運転時だけでなく、定格保証に近い領域での大電流動作時でも、高い効率を維持でき、省エネ化が図れる。産業機器など従来IGBTを用いたハイパワー分野でも、高速スイッチングや低電流領域特性に優れるSJ-MOSFETの利点を享受できるため、省エネ化できるとしている。

「Hybrid MOS」と、SJ-MOS、IGBTの性能比較（クリックで拡大） 出典：ローム