IGBTの熱計算により電力設計の有効性を最大化：電子ブックレット
EDN Japanに掲載した記事を読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、IGBTとダイオードを1パッケージに封止したパワーモジュールにおける、平均およびピーク時のジャンクション（接合部）温度を計算する方法を解説します。
» 2015年08月31日 11時30分 公開
[EDN Japan]
IGBTの熱計算により電力設計の有効性を最大化
アイティメディアがモノづくり分野の読者向けに提供する「MONOist」「EE Times Japan」「EDN Japan」に掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、IGBTとダイオードを1パッケージに封止したパワーモジュールにおける、平均およびピーク時のジャンクション（接合部）温度を計算する方法を解説します。
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IGBTの熱計算により電力設計の有効性を最大化
1つのダイで構成される半導体デバイスのジャンクション（接合部）温度の計算方法はよく知られています。ダイの電力損失を測定し、ダイとパッケージ間の熱抵抗を掛けて、ケースから接合部への温度上昇を計算すれば求められます。しかし、IGBTとダイオードを1パッケージに封止したパワーモジュールの場合はどうすれば良いでしょう。ここでは、IGBTとダイオードの熱抵抗を用いた平均およびピーク時のジャンクション温度を計算する方法を解説します。
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