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MicroSMPパッケージ、表面実装型TMBSダイオード：ビシェイ　eSMPシリーズ

ビシェイ・インターテクノロジーは、小型のMicroSMP（DO-219AD）パッケージを採用した、表面実装型TMBS Trench MOSバリアショットキーダイオード「eSMP」シリーズを発表した。

» 2017年08月01日 09時00分公開

[EDN Japan]

1Aで0.36V、2Aで0.40Vの順方向電圧降下を提供

　ビシェイ・インターテクノロジーは2017年7月、小型のMicroSMP（DO-219AD）パッケージを採用した、表面実装型TMBS Trench MOSバリアショットキーダイオード「eSMP」シリーズを発表した。サイズは2.5×1.3×0.65mmで、SOD123Wパッケージに比べて高さを35％、基板面積を45％抑えた。

表面実装型TMBS Trench MOSバリアショットキーダイオード「eSMP」シリーズ

　平均整流出力電流は1Aもしくは2Aで、1Aで0.36V、2Aで0.4Vの順方向電圧降下を提供する。逆電圧は45～150V。順方向電流、逆電圧など、特性の異なる10種類をそろえた。

　動作ジャンクション温度は最大175℃で、J-STD-020の吸湿レベル（MSL）1を満たし、LFはピーク時260℃となる。自動組み立て装置に対応する他、車載用途向けにAEC-Q101準拠バージョンでの提供も可能だ。

　現在、サンプルおよび製品を提供中で、量産時の標準納期は12週間となる。ビシェイ・インターテクノロジーでは、商用や産業機器向けの低電力高周波インバーター、DC-DCコンバーター、フライホイールダイオード、極性保護などでの用途を見込んでいる。

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