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MicroSMPパッケージ、表面実装型TMBSダイオードビシェイ eSMPシリーズ

ビシェイ・インターテクノロジーは、小型のMicroSMP(DO-219AD)パッケージを採用した、表面実装型TMBS Trench MOSバリアショットキーダイオード「eSMP」シリーズを発表した。

» 2017年08月01日 09時00分 公開
[EDN Japan]

1Aで0.36V、2Aで0.40Vの順方向電圧降下を提供

 ビシェイ・インターテクノロジーは2017年7月、小型のMicroSMP(DO-219AD)パッケージを採用した、表面実装型TMBS Trench MOSバリアショットキーダイオード「eSMP」シリーズを発表した。サイズは2.5×1.3×0.65mmで、SOD123Wパッケージに比べて高さを35%、基板面積を45%抑えた。

表面実装型TMBS Trench MOSバリアショットキーダイオード「eSMP」シリーズ

 平均整流出力電流は1Aもしくは2Aで、1Aで0.36V、2Aで0.4Vの順方向電圧降下を提供する。逆電圧は45〜150V。順方向電流、逆電圧など、特性の異なる10種類をそろえた。

 動作ジャンクション温度は最大175℃で、J-STD-020の吸湿レベル(MSL)1を満たし、LFはピーク時260℃となる。自動組み立て装置に対応する他、車載用途向けにAEC-Q101準拠バージョンでの提供も可能だ。

 現在、サンプルおよび製品を提供中で、量産時の標準納期は12週間となる。ビシェイ・インターテクノロジーでは、商用や産業機器向けの低電力高周波インバーター、DC-DCコンバーター、フライホイールダイオード、極性保護などでの用途を見込んでいる。

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