還流SiC-SBDを搭載したIGBT:インフィニオン CoolSiC Hybrid IGBT
インフィニオン テクノロジーズは、ブロッキング電圧が650Vの「CoolSiC Hybrid IGBT」ファミリーの販売を開始した。IGBTと併せて還流SiCショットキーバリアダイオード(SiC-SBD)を採用し、スイッチング損失を低減した。
インフィニオン テクノロジーズは2021年2月、ブロッキング電圧が650Vの「CoolSiC Hybrid IGBT」ファミリーの販売を開始した。
同ファミリーは、同社の「650V TRENCHSTOP 5 IGBT」技術を用いたほか、ショットキーバリアCoolSiCダイオードのユニポーラ構造を採用し、DC-DCパワーコンバーターやPFC(力率改善)に適する。
「CoolSiC Hybrid IGBT」(4ピン品)
IGBTと併せて還流SiCショットキーバリアダイオード(SiC-SBD)を搭載したことにより、dv/dtおよび、di/dtの数値をほぼ変化させずに、スイッチング損失を大幅に低減した。一般的なシリコンダイオードを用いたソリューションと比較してEonを最大60%、Eoffを30%削減。出力電力要件を変えずにスイッチング周波数を最低でも40%増加できる。
同製品は、同社従来品の「TRENCHSTOP 5 IGBT」との置き換えが可能で、スイッチング周波数10kHzごとに効率を0.1%向上する。TOパッケージを採用し、3ピン品と4ピン品の2種を用意。4ピン品は低インダクタンスのゲートエミッタ制御ループが可能で、総スイッチング損失を低減する。
- 低電力損失と高い誤動作耐量を備えるSiC-MOSFET
三菱電機は、パワー半導体の新製品「SiC-MOSFET 1200V-N」シリーズ6品種のサンプル提供を開始する。低電力損失と高い誤動作耐量を両立しており、車載充電器や太陽光発電などの電源システムの低消費電力化、小型化に貢献する。
- 600V耐圧の小型インテリジェントパワーデバイス
東芝デバイス&ストレージは、600V耐圧の小型インテリジェントパワーデバイス「TPD4162F」を発売した。高耐圧SOIプロセスの採用により、電力損失を従来品から10%低減。機器の変換効率向上に貢献する。
- 定格電流600Aの大型産業機器向けHVIGBT
三菱電機は、耐電圧3.3kV、絶縁耐圧10kVrmsの「HVIGBTモジュール Xシリーズ dualタイプHV100」2品種のサンプル提供を2021年4月から開始する。定格電流600Aにより、大型産業機器向けインバーターの高出力、高効率化に対応する。
- 燃料電池自動車向けの昇圧用パワーモジュール
デンソーは、燃料電池自動車向けにSiCパワー半導体を搭載した次期型昇圧用パワーモジュールの量産を開始した。新開発の車載用SiCトランジスタと車載用SiCダイオードを組み合わせた、小型で効率的なモジュールだ。
- 100V耐圧ハーフブリッジMOSFETドライバIC
ルネサス エレクトロニクスは、100V耐圧のハーフブリッジMOSFETドライバIC「HIP2211」「HIP2210」を発売した。高性能かつ堅牢で、HI、LI入力、トライステートPWM入力に対応するため、電源供給やモーター駆動機器の設計を簡略化する。
- 効率と熱安定性を兼ね備えた車載向けSiGe整流器
Nexperiaは、ショットキーダイオードの高効率性とファストリカバリーダイオードの熱安定性を兼ね備えた、SiGe整流器を発表した。AEC-Q101に準拠し、自動車をはじめとする高温アプリケーションに適している。
Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.