還流SiC-SBDを搭載したIGBT：インフィニオン CoolSiC Hybrid IGBT

インフィニオン テクノロジーズは、ブロッキング電圧が650Vの「CoolSiC Hybrid IGBT」ファミリーの販売を開始した。IGBTと併せて還流SiCショットキーバリアダイオード（SiC-SBD）を採用し、スイッチング損失を低減した。

[EDN Japan]

　インフィニオン テクノロジーズは2021年2月、ブロッキング電圧が650Vの「CoolSiC Hybrid IGBT」ファミリーの販売を開始した。

　同ファミリーは、同社の「650V TRENCHSTOP 5 IGBT」技術を用いたほか、ショットキーバリアCoolSiCダイオードのユニポーラ構造を採用し、DC-DCパワーコンバーターやPFC（力率改善）に適する。

「CoolSiC Hybrid IGBT」（4ピン品）

スイッチング損失を低減

　IGBTと併せて還流SiCショットキーバリアダイオード（SiC-SBD）を搭載したことにより、dv/dtおよび、di/dtの数値をほぼ変化させずに、スイッチング損失を大幅に低減した。一般的なシリコンダイオードを用いたソリューションと比較してEonを最大60％、Eoffを30％削減。出力電力要件を変えずにスイッチング周波数を最低でも40％増加できる。

　同製品は、同社従来品の「TRENCHSTOP 5 IGBT」との置き換えが可能で、スイッチング周波数10kHzごとに効率を0.1％向上する。TOパッケージを採用し、3ピン品と4ピン品の2種を用意。4ピン品は低インダクタンスのゲートエミッタ制御ループが可能で、総スイッチング損失を低減する。