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汚染に強いパッケージを採用した650V IGBT：インフィニオン 650V TRENCHSTOP 5 WR6

インフィニオンテクノロジーズは、汚染に強いTO-247-3-HCCパッケージのディスクリートIGBT「650V TRENCHSTOP 5 WR6」ファミリーを発表した。住宅や商業用空調システム、溶接アプリケーションの力率改善に適する。

» 2021年08月18日 09時00分公開

[EDN Japan]

　インフィニオンテクノロジーズは2021年7月、汚染に強いTO-247-3-HCCパッケージのディスクリートIGBT「650V TRENCHSTOP 5 WR6」ファミリーを発表した。住宅用や商業用の空調システム、溶接アプリケーションの力率改善（PFC）に適する。

ディスクリートIGBT「650V TRENCHSTOP 5 WR6」ファミリー

　順方向電圧を持つダイオード内蔵のモノリシックIGBTで、定格電流は20A、30A、40A、50A、60A、70Aをラインアップしている。スイッチング周波数は20k～60kHzで、低い導通損失とスイッチング損失を特徴とする。飽和電圧は1.45Vだ。従来品の「TRENCHSTOP 5 WR5」「HighSpeed 3 H3」や、他のIGBTとの置き換えも容易で、BOMコストを抑える。

TO-247-3-HCCパッケージで故障率とTCO削減に貢献

　TO-247-3-HCCパッケージを採用したことで、沿面距離と空間距離が増加し、絶縁耐圧が向上している。エアコン室外機などで発生する汚染や結露に対して、より信頼性の高いシステム設計を可能にし、故障率ならびにTCO（Total Cost of Ownership）の削減に貢献する。

還流SiC-SBDを搭載したIGBT
インフィニオンテクノロジーズは、ブロッキング電圧が650Vの「CoolSiC Hybrid IGBT」ファミリーの販売を開始した。IGBTと併せて還流SiCショットキーバリアダイオード（SiC-SBD）を採用し、スイッチング損失を低減した。
1200V対応、自然冷却のパワーMOSFET
インフィニオンテクノロジーズは、SiCパワーMOSFETファミリー「CoolSiC MOSFET」に1200V用に最適化された新製品を追加した。自然空冷を可能にしたことで冷却ファンや関連設備を不要とし、損失も従来比で最大80％削減できる。
低ノイズで低損失の600V耐圧IGBTモジュール
ロームは、600V耐圧のIGBT IPM「BM6337x」シリーズを発表した。放射ノイズと電力損失を低減した、定格電流10～30Aの8種類を用意する。白物家電や産業機器のインバーターでの利用に適している。
定格電流600Aの大型産業機器向けHVIGBT
三菱電機は、耐電圧3.3kV、絶縁耐圧10kVrmsの「HVIGBTモジュール Xシリーズ dualタイプHV100」2品種のサンプル提供を2021年4月から開始する。定格電流600Aにより、大型産業機器向けインバーターの高出力、高効率化に対応する。
600V耐圧の小型インテリジェントパワーデバイス
東芝デバイス＆ストレージは、600V耐圧の小型インテリジェントパワーデバイス「TPD4162F」を発売した。高耐圧SOIプロセスの採用により、電力損失を従来品から10％低減。機器の変換効率向上に貢献する。
低電力損失と高い誤動作耐量を備えるSiC-MOSFET
三菱電機は、パワー半導体の新製品「SiC-MOSFET 1200V-N」シリーズ6品種のサンプル提供を開始する。低電力損失と高い誤動作耐量を両立しており、車載充電器や太陽光発電などの電源システムの低消費電力化、小型化に貢献する。