1700V対応のSiCショットキーバリアダイオード：Littelfuseジャパン LSIC2SD170Bxxシリーズ

Littelfuseジャパンは、1700V対応のSiCショットキーバリアダイオード「LSIC2SD170Bxx」シリーズの販売を開始する。産業や発電、エネルギー供給または貯蔵用途でのAC-DCおよびDC-DCパワーコンバーターに適する。

» 2021年09月07日 09時00分公開

[EDN Japan]

　Littelfuseジャパンは2021年8月、1700V対応のSiC（炭化ケイ素）ショットキーバリアダイオード「LSIC2SD170Bxx」シリーズの販売を開始すると発表した。同年9月上旬より、国内販売代理店を通じて提供する。

SiCショットキーバリアダイオード「LSIC2SD170Bxx」シリーズ

　パッケージはTO-247-2Lを採用。定格電流が10Aの「LSIC2SD170B10」、25Aの「LSIC2SD170B25」、50Aの「LSIC2SD170B50」と3種をラインアップにそろえる。

容易に並列化可能

　逆回復電流がゼロに近く、サージ能力に優れるほか、動作接合部温度は最大175℃まで対応する。産業や発電、エネルギー供給または貯蔵用途でのAC-DCおよびDC-DCパワーコンバーターに適する。

　順方向電圧の正の温度係数により安全に動作し、容易に並列化できる。また、高速スイッチングが可能なパワーエレクトロニクスも組み込めるため、機器の小型化や高出力化に寄与する。

　SiCダイオードを電源設計に使用し、エネルギー効率に優れたパワーコンバーターの開発ができ、パワーエレクトロニクスの冷却に関連するエネルギーとコスト削減が可能になる。

還流SiC-SBDを搭載したIGBT
インフィニオンテクノロジーズは、ブロッキング電圧が650Vの「CoolSiC Hybrid IGBT」ファミリーの販売を開始した。IGBTと併せて還流SiCショットキーバリアダイオード（SiC-SBD）を採用し、スイッチング損失を低減した。
燃料電池自動車向けの昇圧用パワーモジュール
デンソーは、燃料電池自動車向けにSiCパワー半導体を搭載した次期型昇圧用パワーモジュールの量産を開始した。新開発の車載用SiCトランジスタと車載用SiCダイオードを組み合わせた、小型で効率的なモジュールだ。
SBDベースのSiCパワーモジュール
Microchip Technologyは、民生用ショットキーバリアダイオード（SBD）ベースのSiCパワーモジュールファミリーの提供を開始した。700V、1200V、1700V品をそろえる。
SiCを用いた1200V耐圧パワー半導体
三菱電機は、SiCを用いた1200V耐圧パワー半導体「1200V SiC-SBD」5タイプを発表した。Siダイオードと比べてスイッチング損失を大幅に削減し、電力損失を約21％低減する。また、JBS構造の採用によりサージ電流耐量が高く、信頼性に優れる。
1200V、80mΩの産業・車載向けSiC MOSFET
オン・セミコンダクターは、産業用・車載用として認証済みのNチャンネルSiC MOSFETの新製品を発表した。インダストリアルグレードの「NTHL080N120SC1」と、AEC-Q101準拠のオートモーティブグレードの「NVHL080N120SC1」を提供する。
電力密度を高める650V SiCショットキーダイオード
オン・セミコンダクターは、650Vシリコンカーバイド（SiC）ショットキーダイオードファミリーを同社製品ラインアップに追加する。動力損失を減らし、デバイスのパラレル化を支援することで、スイッチング性能を向上できる。