電力密度を高める650V SiCショットキーダイオード:オンセミ 650V SiCダイオード
オン・セミコンダクターは、650Vシリコンカーバイド(SiC)ショットキーダイオードファミリーを同社製品ラインアップに追加する。動力損失を減らし、デバイスのパラレル化を支援することで、スイッチング性能を向上できる。
オン・セミコンダクターは2018年3月、650Vシリコンカーバイド(SiC)ショットキーダイオードファミリーを発表した。スイッチング抵抗を低減し、デバイスの並列化を支援することで、電力供給性能を高めることができる。
650V SiCショットキーダイオードファミリー
これまでも同社は1200V SiCデバイスを提供しているが、今回新たに650V品を追加。6〜50Aの範囲で、DPAK、TO-220、TO-247パッケージで提供される。
低いフォワード電圧(VF)と高いサージ容量、正温度係数を備える。また、SiCダイオードのリカバリー特性により、電力損失を抑えて効率を向上できる。SiCダイオードの高速リカバリーによってスイッチング速度が向上し、磁気やその他の受動素子のサイズを小型化できる。これにより、電力密度が向上し、回路設計全体の小型化につながる。
動作温度範囲は−55〜175℃で、より高いサージ電流に耐えることができる。独自の終端構造を採用しており、安定性と堅ろう性を改善した。
太陽光発電インバーター、電気自動車(EV)充電器、テレコムやデータセンターの電力供給など、さまざまな用途で利用するPFC(力率改善)やブーストコンバーターの設計に適用できるとしている。
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