SiCを用いた1200V耐圧パワー半導体：三菱電機 1200V SiC-SBD

三菱電機は、SiCを用いた1200V耐圧パワー半導体「1200V SiC-SBD」5タイプを発表した。Siダイオードと比べてスイッチング損失を大幅に削減し、電力損失を約21％低減する。また、JBS構造の採用によりサージ電流耐量が高く、信頼性に優れる。

[EDN Japan]

　三菱電機は2019年3月、SiC（炭化ケイ素）を用いた1200V耐圧パワー半導体「1200V SiC-SBD（Schottky Barrier Diode）」5タイプを発表した。同年6月からサンプル提供を開始し、2020年1月から順次発売する。サンプル価格は定格10Aが600円、定格20Aが1000円となっている（税別）。

左＝パワー半導体「1200V SiC-SBD」TO-247パッケージの製品外観／右＝パワー半導体「1200V SiC-SBD」TO-247-2パッケージの製品外観

　SiCを採用した1200V SiC-SBDは、Si（シリコン）ダイオードと比べてスイッチング損失を大幅に削減し、電力損失を約21％低減する。高速スイッチングが可能で、リアクトルなどの周辺部品を小型化する。

　また、pn接合とショットキー接合を組み合わせたJBS（Junction Barrier Schottky）構造を採用している。これにより、サージ電流耐量が定格1200V／10Aでは95A、1200V／20Aでは155Aと高く、信頼性に優れる。

さまざまな用途に対応可能な5タイプを用意

　パッケージは、一般的なTO-247パッケージの「BD10120S」「BD20120S」に加え、絶縁距離を拡大したTO-247-2パッケージの「BD10120P」「BD20120P」を用意し、さまざまな用途に対応する。他に、車載電子部品の品質規格AEC-Q101に準拠した、TO-247パッケージの「BD20120SJ」をラインアップしている。

　外形サイズは、いずれも15.9×41.0×5.0mm。RoHS指令にも準拠している。