ピーク出力電流が大きいIGBT／MOSFET駆動用フォトカプラー：東芝 TLP5705H、TLP5702H

東芝デバイス＆ストレージは、IGBTおよびMOSFETのゲート駆動向けフォトカプラー「TLP5705H」「TLP5702H」の出荷を開始した。ピーク出力電流定格が大きく、従来品よりも薄型で容易に置き換えられる。

[EDN Japan]

　東芝デバイス＆ストレージは2021年11月、IGBTおよびMOSFETのゲート駆動向けフォトカプラー「TLP5705H」「TLP5702H」の出荷を開始した。汎用およびPVインバーター、ACサーボアンプ、UPSといった産業用機器での用途に適する。

　ピーク出力電流定格が大きく、TLP5705Hは±5.0A、TLP5702Hは±2.5A。主要特性の動作温度定格はともに−40〜＋125℃で、熱設計マージンを確保しやすい。

　特にピーク出力電流定格が大きいTLP5705Hは、電流増幅用バッファー回路を用いる低容量から中容量以上のインバーターやサーボなどに対して、バッファー回路がなくてもIGBTおよびMOSFETを直接駆動できる。部品点数を減らせるため、機器の小型化に寄与する。

従来品より薄型で、置き換えも容易

　両製品は、10×3.84mm（Typ.）で高さが最大2.3mmと薄型のSO6Lパッケージを採用している。SO6Lパッケージは、同社従来品のSDIP6パッケージのランドパターンに実装可能で、従来品から容易に置き換えられる。また、SO6LパッケージはSDIP6パッケージよりも薄いので、基板裏面への実装や高さに制限がある場所でも使用できる。

IGBT、MOSFETゲート駆動用フォトカプラー「TLP5705H」「TLP5702H」

　電源電圧は15〜30V、供給電流は最大3.0mA、スレッショルド入力電流は最大5mA。伝搬遅延時間は最長200ナノ秒、伝搬遅延時間バラツキは50ナノ秒だ。

　また、リードフォーミングオプションのSO6L（LF4）パッケージを採用した「TLP5702H（LF4）」「TLP5705H（LF4）」も製品化している。高さは同じ最大2.3mmで、サイズは11.05×3.84mm（Typ.）になっている。