150V耐圧NチャンネルパワーMOSFET、東芝：TPH9R00CQ5

東芝デバイス＆ストレージは、産業機器用スイッチング電源向けの150V耐圧NチャンネルパワーMOSFET「TPH9R00CQ5」を発売した。ドレインソース間のオン抵抗や逆回復電荷量などが低減している。

» 2023年04月14日 09時00分公開

[EDN Japan]

　東芝デバイス＆ストレージは2023年3月、産業機器用スイッチング電源向けの150V耐圧NチャンネルパワーMOSFET「TPH9R00CQ5」を発売した。

150V耐圧NチャンネルパワーMOSFET「TPH9R00CQ5」出所：東芝デバイス＆ストレージ

　ドレインソース間のオン抵抗は最大9.0mΩで、同社従来品「TPH1500CNH1」と比較して約42％低減した。また、逆回復電荷量も同社従来品「TPH9R00CQH」と比較して約74％低減していて、逆回復時間が約44％短縮した。

チャンネル温度は最高175℃

　スイッチング時においてドレインソース間で生じるスパイク電圧は、TPH9R00CQHと比較して低減した。スイッチング電源のEMI（電磁干渉）抑制に寄与する。チャンネル温度は最高175℃。パッケージは4.9×6.1×1.0mmのSOPを採用した。

　設計ツールとして、短時間で回路動作を検証できるSPICEモデル（G0モデル）や、パワーデバイスの過渡特性をより正確にシミュレーションできる高精度SPICEモデル（G2モデル）を提供する。

　同社のWebサイトでは、1kWフルブリッジ方式DC-DCコンバーターのリファレンスデザインを公開しており、TPH9R00CQ5を活用できる。また、TPH9R00CQ5を活用した通信機器用非絶縁昇降圧1kW DC-DCコンバーターと、MOSFET応用3相マルチレベルインバーターのリファレンスデザインも公開した。

左＝通信機器用非絶縁昇降圧1kW DC-DCコンバーターのリファレンスデザイン／右＝MOSFET応用3相マルチレベルインバーターのリファレンスデザイン出所：東芝デバイス＆ストレージ

車載向けCXPI通信ドライバー、レシーバーIC
東芝デバイス＆ストレージは、車載向け通信プロトコルの「CXPI」に準拠した、CXPI通信ドライバーおよびレシーバーIC「TB9032FNG」のテストサンプルの提供を開始する。CXPIはCANよりもコストを抑えられ、LINよりも応答性に優れている。
8チャンネルハイサイド、ローサイドスイッチ
東芝デバイス＆ストレージは、8チャンネルのハイサイドスイッチ「TPD2015FN」とローサイドスイッチ「TPD2017FN」の出荷を開始した。出力段のオン抵抗は標準0.4Ωで、同社従来品から半減している。
高放熱型パッケージの車載向けパワーMOSFET
東芝デバイス＆ストレージは、高放熱型パッケージ「L-TOGL」を採用した、車載用40V耐圧NチャンネルパワーMOSFET「XPQR3004PB」「XPQ1R004PB」の量産出荷を開始した。従来品に比べてパッケージ抵抗が約70％減少した。
最大20Tバイトの3.5型ニアラインHDD
東芝デバイス＆ストレージは、3.5型ニアラインHDD「MG10」シリーズを発表した。ディスクを10枚搭載し、記憶容量は最大20Tバイト。データセンター、クラウドサービス、サーバ、ストレージシステムに適する。
過電流保護機能搭載ゲートドライバーカプラー
東芝デバイス＆ストレージは、過電流保護機能を備えた、2.5A出力のゲートドライバーカプラー「TLP5222」の出荷を開始した。保護動作開始後に25.5マイクロ秒経過すると、自動的に通常動作に復帰する機能を搭載している。