メディア
ニュース
» 2023年02月17日 09時00分 公開

高放熱型パッケージの車載向けパワーMOSFET東芝 XPQR3004PB、XPQ1R004PB

東芝デバイス&ストレージは、高放熱型パッケージ「L-TOGL」を採用した、車載用40V耐圧NチャンネルパワーMOSFET「XPQR3004PB」「XPQ1R004PB」の量産出荷を開始した。従来品に比べてパッケージ抵抗が約70%減少した。

[EDN Japan]

 東芝デバイス&ストレージは2023年1月、高放熱型パッケージ「L-TOGL」を採用した、車載用40V耐圧NチャンネルパワーMOSFET「XPQR3004PB」「XPQ1R004PB」の量産出荷を開始した。インバーターやロードスイッチ、半導体リレー、モータードライブなどの車載用途に適する。

車載用40V耐圧パワーMOSFET「XPQR3004PB」「XPQ1R004PB」 車載用40V耐圧パワーMOSFET「XPQR3004PB」「XPQ1R004PB」 出所:東芝デバイス&ストレージ

ポストレス構造のパッケージ

 L-TOGLパッケージは、銅クリップでチップからアウターリードまでを一体化し、製品内部のポストを廃したポストレス構造となっている。多ピン構造のソースリードにより、従来の「TO-220SM(W)」に比べてパッケージ抵抗が約70%減少した。

 XPQR3004PBは、TO-220SM(W)を用いた同社従来品「TKR74F04PB」と比較して、ドレイン電流が400Aと1.6倍に拡大した。XPQ1R004PBは、チャンネル−ケース間の過渡熱インピーダンスが0.65℃/Wで、TKR74F04PBに比べて50%低減している。オン抵抗は、それぞれ0.23mΩ、0.8mΩ。車載電子部品規格「AEC-Q101」に準拠する。

Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.

RSSフィード

公式SNS

EDN 海外ネットワーク

All material on this site Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
This site contains articles under license from AspenCore LLC.