バッテリー保護回路向けの小型/省電力なMOSFET：東芝 SSM14N956L

東芝デバイス＆ストレージは、リチウムイオン電池のバッテリー保護回路向けコモンドレインMOSFET「SSM14N956L」の出荷を開始した。低電力損失と低待機電力化を両立しており、バッテリーの長時間動作に寄与する。

» 2023年05月31日 09時00分公開

[EDN Japan]

　東芝デバイス＆ストレージは2023年5月、リチウムイオン電池のバッテリー保護回路向けコモンドレインMOSFET「SSM14N956L」を製品化したと発表した。既に出荷を開始している。

コモンドレインMOSFET「SSM14N956L」出所：東芝デバイス＆ストレージ

オン抵抗やゲートソース間漏れ電流を低減

　SSM14N956Lは、12V耐圧、電流定格20AのNチャンネルMOSFETで、バッテリー保護回路での使用に適したコモンドレイン構造を採用している。同社従来品「SSM10N954L」と同じ微細プロセスを用いていて、V_GS＝3.8V時のソースソース間オン抵抗を1.1mΩ（typ.）に抑えた。ゲートソース間漏れ電流も±1μA（max）に抑えている。低電力損失と低待機電力化を両立したことで、バッテリーの長時間動作が可能になる。

　ソースソース間電圧は12V、ゲートソース間電圧は±8V。パッケージは2.74×3.0×0.085mmと小型薄型の「TCSPED-302701」を採用していて、保護回路の高密度実装に寄与する。

　スマートフォンやタブレット、ウェアラブルデバイス、ゲーム機といったリチウムイオン電池を用いる民生用、個人用機器での用途に適する。

150V耐圧NチャンネルパワーMOSFET、東芝
東芝デバイス＆ストレージは、産業機器用スイッチング電源向けの150V耐圧NチャンネルパワーMOSFET「TPH9R00CQ5」を発売した。ドレインソース間のオン抵抗や逆回復電荷量などが低減している。
SiCオンラインシミュレーションツール、マイクロチップ
マイクロチップ・テクノロジーは、同社のSiC（炭化ケイ素）パワーデバイスおよびモジュールを設計前に評価できるオンラインツール「MPLAB SiC Power Simulator」を発表した。同社のウェブサイトから無償で利用できる。
8チャンネルハイサイド、ローサイドスイッチ
東芝デバイス＆ストレージは、8チャンネルのハイサイドスイッチ「TPD2015FN」とローサイドスイッチ「TPD2017FN」の出荷を開始した。出力段のオン抵抗は標準0.4Ωで、同社従来品から半減している。
高放熱型パッケージの車載向けパワーMOSFET
東芝デバイス＆ストレージは、高放熱型パッケージ「L-TOGL」を採用した、車載用40V耐圧NチャンネルパワーMOSFET「XPQR3004PB」「XPQ1R004PB」の量産出荷を開始した。従来品に比べてパッケージ抵抗が約70％減少した。
2種の30V対称型デュアルMOSFET、ビシェイ
ビシェイ・インターテクノロジーは、30Vの対称型デュアルMOSFET「SiZF5300DT」「SiZF5302DT」を発表した。3.3×3.3mmのパッケージを採用していて、同社従来品と比較して基板面積を63％削減できる。