第3世代の650V耐圧SiC SBD：東芝 TRSxxx65H

東芝デバイス＆ストレージは、産業機器向けに、第3世代の650V耐圧SiC（炭化ケイ素） ショットキーバリアダイオード「TRSxxx65H」シリーズを発売した。新たなショットキーメタルを採用している。

[EDN Japan]

　東芝デバイス＆ストレージは2023年7月、産業機器向けに、第3世代の650V耐圧SiC（炭化ケイ素） ショットキーバリアダイオード「TRSxxx65H」シリーズを発売した。新たなショットキーメタルを採用し、第2世代品のジャンクションバリアショットキー構造を改善した第3世代SiC SBDチップを内蔵した。

SiC SBD「TRSxxx65H」シリーズ 出所：東芝デバイス＆ストレージ

1.2Vの低い順方向電圧

　順方向電圧が1.2V（Typ.）と低く、前世代品の1.45V（Typ.）と比較して約17％減少している。順方向電圧と総電荷量のトレードオフ、順方向電圧と逆電流のトレードオフも前世代製品から改善した。

　総電荷量は400V、1MHz時で17nC（Typ.）、逆電流は650V時で1.1μA（Typ.）となる（いずれも「TRS6E65H」の場合）。損失を低減することで、搭載機器の高効率化に寄与する。

　TO-220-2Lパッケージ品を7種、DFN8×8パッケージ品を5種の計12種をラインアップにそろえた。スイッチング電源や太陽光発電向けインバーター、EV（電気自動車）充電スタンドなどの用途に適する。