ゲートドライバーと2つのGaN HEMTを搭載したSiP：STマイクロ MasterGaN1L、MasterGaN4L

STマイクロエレクトロニクスは、GaN HEMTとゲートドライバーを搭載したSiP「MasterGaN1L」「MasterGaN4L」を発表した。ハーフブリッジ構成で接続した、2個のGaN HEMTを内蔵している。

[EDN Japan]

　STマイクロエレクトロニクスは2023年12月、GaN（窒化ガリウム） HEMT（高電子移動度トランジスタ）とゲートドライバーを搭載したSiP（システムインパッケージ）「MasterGaN1L」「MasterGaN4L」を発表した。既に量産を開始していて、単価はMasterGaN1Lが約4.40米ドル（約630円）、MasterGaN4Lが約3.78米ドル（約540円）だ。

GaN HEMT採用SiP「MasterGaN1L」「MasterGaN4L」 出所：STマイクロエレクトロニクス

3.3〜15Vの信号電圧に対応

　両製品は、ハーフブリッジ構成で接続した、2個のGaN HEMTを内蔵する。入力は、3.3〜15Vの信号電圧に対応。ヒステリシスやプルダウンを備え、マイクロコントローラーやホール効果センサー、DSPなどと接続して直接制御できる。専用のシャットダウンピンを搭載していて、システム全体の消費電力の低減に寄与する。

　MasterGaN1Lは同社従来品の「MasterGaN1」と、MasterGaN4Lは「MasterGaN4」とピン配置互換性を有する。ターンオン遅延を最適化していて、共振回路トポロジーをはじめとした負荷を同社従来品より低減した。

　MasterGaN1Lに採用したGaN HEMTは、オン抵抗が150mΩ、定格電流が10A。最大500Wの用途に使用できる。無負荷時の消費電力は20mWとなる。MasterGaN4Lに搭載したGaN HEMTは、オン抵抗が225mΩ、定格電流が6.5Aで、最大200Wの用途を対象としている。

　パッケージは、いずれも9×9×1mmのGQFNを採用した。MasterGaN1L向けの評価ボード「EVLMG1LPBRDR1」、MasterGaN4L向けの「EVLMG4LPWRBR1」も提供している。