メディア

逆回復時間は15ナノ秒、トレンチMOS構造採用の100V耐圧SBD：ローム YQシリーズ

ロームは、100V耐圧のSBD「YQ」シリーズの量産を開始した。独自のトレンチMOS構造を採用し、順方向電圧と逆方向電流を同時に低減していて、逆回復時間は15ナノ秒を達成している。

» 2024年01月17日 09時00分公開

[EDN Japan]

　ロームは2023年12月、100V耐圧のSBD（ショットキーバリアダイオード）「YQ」シリーズの量産を開始した。サンプル価格は1個300円（税別）。車載用LEDヘッドランプやEV（電気自動車）向けDC-DCコンバーター、産業機器電源、照明などに適する。

100V耐圧SBD「YQ」シリーズ［クリックで拡大］出所：ローム

独自のトレンチMOS構造でtrr15ナノ秒を達成

　独自のトレンチMOS構造を採用し、順方向電圧（V_F）と逆方向電流（I_R）を同時に低減した。これにより、逆回復時間（trr）は15ナノ秒を達成。トレンチMOS構造を用いた他の一般品に比べ、trr単体の損失は約37％、スイッチング損失全体は約26％低減した。

ロームのトレンチMOS構造［クリックで拡大］出所：ローム

スイッチング損失比較［クリックで拡大］出所：ローム

　順方向印加時に損失となるV_Fと逆方向印加時に損失となるI_Rが改善したことで、電力損失や熱暴走のリスクを低減できる。

　パッケージは、1.3×2.5mmのPMDE、1.6×3.5mmのSOD-123FL、2.5×4.7mmのSOD-128、4.6×6.5mmのTO-277A、6.6×10mmのTO-252AA、10.1×15.1mmのTO-263ABで提供する。パワートレインなどに対応したグレードも準備中で、2024年9月より量産を開始する予定だ。

オフセット電圧を自動補正する、ゼロドリフトオペアンプ
ロームは、ゼロドリフトオペアンプ「LMR1002F-LB」の量産を開始した。オペアンプ内部で生じたオフセット電圧を検出し、デジタル回路により自動補正するチョッパ方式を採用している。
GaN用ゲートドライバーIC、ナノ秒級でゲート駆動
ロームは、GaN（窒化ガリウム）デバイス向けのゲートドライバーIC「BD2311NVX-LB」を発表した。最小ゲート入力パルス幅は1.25ナノ秒で、GaNデバイスの高速スイッチングに対応する。
低オン抵抗の100V耐圧デュアルMOSFET
ロームは、100V耐圧のNch＋NchデュアルMOSFET「HP8KE6」「HP8KE7」「HT8KE5」「HT8KE6」と、Nch＋PchデュアルMOSFET「HP8ME5」を発表した。2チップを1パッケージに内蔵したデュアルMOSFETのため、機器の小面積化に対応する。
GaN HEMT採用パワーステージIC
ロームは、GaN（窒化ガリウム）パワーステージIC「BM3G015MUV-LB」「BM3G007MUV-LB」を開発した。650V GaN HEMTやゲート駆動用ドライバなどを1パッケージ内に搭載している。Si MOSFETから容易に置き換えて、部品体積を約99％、電力損失を約55％削減できる。
消費電力を約20％低減、42V耐圧の車載向けホールIC
ロームは、車載向け高耐圧ホールICとして、単極検出タイプの「BD5310xG-CZ」シリーズと、交番検出タイプの「BD5410xG-CZ」シリーズを発表した。42V耐圧で、動作電圧範囲は2.7～38Vとなる。