電力密度／効率を向上させたESS向けパワーモジュール：オンセミ F5BP-PIM

オンセミは、太陽光発電やエネルギー貯蔵システム向けに、SiおよびSiC（炭化ケイ素）パワーモジュール「F5BP-PIM」シリーズを発表した。占有面積当たりの電力密度が向上し、ソーラーインバーターのシステム合計電力が最大350kWとなった。

» 2024年09月13日 09時00分公開

[EDN Japan]

　オンセミは2024年8月、太陽光発電やエネルギー貯蔵システム（ESS）向けに、SiおよびSiC（炭化ケイ素）パワーモジュール「F5BP-PIM」シリーズを発表した。前世代品に比べ、同じ占有面積当たりの電力密度と効率が向上している。

Si、SiCパワーモジュール「F5BP-PIM」シリーズ出所：オン・セミコンダクター

1050V IGBTと1200V SiCダイオードを搭載

　F5BP-PIMは、1050VのIGBT「FS7」と1200VのSiCダイオード「D3」を搭載。高電圧かつ大電流の電力変換を容易にする基盤を形成しつつ、電力損失を低減して信頼性を向上できる。

　占有面積当たりの電力密度が向上したことで、ソーラーインバーターのシステム合計電力が前世代品の最大300kWから最大350kWに増加した。容量1GWのソーラーファームでは1時間あたり約2MWのエネルギーを節約できる。これは、年間700戸以上の家庭への電力供給に相当するという。

　インバーターモジュールにはINPC（I型中性点クランプ）を、ブーストモジュールにはフライングキャパシタートポロジーを採用。先進のDBC（Direct Bonded Copper）基板を用いており、熱抵抗や浮遊インダクタンスを低減した。また、銅ベースプレートにより、ヒートシンクへの熱抵抗も前世代品から9.3％に抑えている。

ターンオフ損失が前世代品比で半減したSiC MOSFET
オンセミ（onsemi）は、同社のSiC（炭化ケイ素）プラットフォームの最新世代となる「EliteSiC M3e MOSFET」を発表した。既にTO-247-4Lパッケージを用いたサンプル品の出荷を開始している。
電気化学センサー向けアナログフロントエンド
オンセミは、低電流かつ高精度な電気化学センシングに対応するアナログフロントエンド「CEM102」を発表した。小型かつ低消費電力で、電池駆動の電気化学センサーを用いたアプリケーションに適している。
EV／ESS向けの双方向充電可能なSiCパワー統合モジュール
オンセミは、EV向けDC高速充電器とESS向けの双方向充電機能を有する、9種の「EliteSiCパワー統合モジュール（PIM）」を発表した。従来のSi（シリコン） IGBT製品に比べてサイズを最大40％、重量を最大52％低減できる。
電池寿命を最大40％延長、小型低消費電力のイメージセンサー
オンセミは、スマートホームやオフィス向けのイメージセンサーファミリー「Hyperlux LP」を発表した。低消費電力モードでの動作に対応し、5～20Mピクセルの3種をラインアップにそろえた。
LFM機能搭載、ADAS向け車載用イメージセンサー
オンセミは、車載用イメージセンサーファミリー「Hyperlux」を発表した。ADAS向けに2.1μmのピクセルサイズ、150dBのHDR、全車載温度範囲でのLFM機能を搭載している。