低損失特性、高短絡耐量の車載向け1200V IGBT：ローム第4世代IGBT

ロームは、車載向けの1200V 第4世代IGBTを開発した。外周を含めたデバイス構造を改善し、25℃での短絡耐量が10マイクロ秒となったほか、スイッチング損失や導通損失が低減している。

» 2024年11月20日 09時00分公開

[EDN Japan]

第4世代IGBTのパッケージ2種出所：ローム

　ロームは2024年11月、車載向けの1200V 第4世代IGBTを発表した。ディスクリートパッケージ4種およびベアチップ11種をそろえる。月産100万個体制で量産を開始していて、サンプル価格は1個当たり1500円（税別）だ。

　第4世代IGBTでは、外周を含めたデバイス構造を改善した。25℃での短絡耐量が10マイクロ秒となったほか、スイッチング損失や導通損失が低減している。

　新製品のうち「RGA80TRX2HR」「RGA80TRX2EHR」は、4端子のTO-247-4Lパッケージ（16.0×23.45×5.0mm）を採用した。端子間の沿面距離を確保していて、汚染度2の環境下で実効電圧1100Vに適応可能だ。同社従来品と比べてより高電圧での用途に対応する。また、沿面距離を確保したことで、メーカー側の設計負荷も軽減する。

従来品から35％損失を低減

　同パッケージでは、電圧測定専用のケルビンエミッター端子を採用し、スイッチングの高速化と低損失化を図っている。3相インバーターで比較すると、同社従来品から約35％、一般品からは約24％、損失を低減できるという。

エネルギー損失比較出所：ローム

　その他に、TO-247Nパッケージ（16.0×21.0×5.0mm）を採用した「RGA80TSX2HR」「RGA80TSX2EHR」に加え、ベアチップ「SG84xxWN」11種を用意する。ディスクリート品4種は、動作温度範囲が－40～＋175℃で、車載向け電子部品規格「AEC-Q101」に準拠する。

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