メディア

AIスマホなど次世代機器向け　UFS 4.1対応組み込み式フラッシュメモリ：電力効率／性能／ビット密度を向上

キオクシアは、オンデバイスAI機能を搭載したハイエンドスマートフォンなどの次世代モバイル機器向けに、UFS4.1対応の組み込み式フラッシュメモリ製品のサンプル出荷を開始した。

» 2025年07月17日 09時00分公開

[EDN Japan]

　キオクシアは2025年7月、オンデバイスAI機能を搭載したハイエンドスマートフォンなどの次世代モバイル機器向けに、UFS4.1対応の組み込み式フラッシュメモリのサンプル出荷を開始したと発表した。従来品よりライト／リード性能と電力効率が向上し、低消費電力かつ、データダウンロードの高速化やアプリ動作の円滑化を達成している。

UFS 4.1対応の組み込み式フラッシュメモリ製品出所：キオクシア

第8世代BiCS FLASH 3次元フラッシュメモリを採用

　同製品は、CMOS directly Bonded to Array（CBA）技術を活用した第8世代BiCS FLASH 3次元フラッシュメモリを採用。CBA技術によって、電力効率、性能、ビット密度が大幅に向上した。BiCS FLASHとコントローラーは、JEDEC規格のBGAパッケージに収納した。

　256Gバイト、512Gバイト、1Tバイトを用意していて、従来品比で512Gバイトおよび1Tバイトモデルのランダムライト速度が約30％、ランダムリード速度は512Gバイトが約45％、1Tバイトが約35％向上した。電力効率は、512Gバイトおよび1Tバイトモデルでリードが約15％、ライトが約20％向上している。

　ホスト主導のデフラグメンテーション機能によって、ガベージコレクションの実行タイミングを制御し、重要な場面での高速性能を維持できる。WriteBoosterバッファーのリサイズ機能により、パフォーマンスを最適化する柔軟性も向上した。1TBモデルでは、前世代品よりパッケージ高さを削減した。

過酷な現場に耐える　インフラ保守向けメモリハイコーダー、日置電機
日置電機は、メモリハイコーダー「MR8848」を発売した。社会インフラの保守や異常解析に向けたもので、耐衝撃設計や絶縁多チャンネル入力、SSDへの波形記録機能、LAN通信機能などを備えている。
±6.5mVの過充電検出が可能な1セルLIB保護IC、日清紡マイクロ
日清紡マイクロデバイスは、過充電を±6.5mVの高精度で検出できる1セルリチウムイオン電池保護ICのハイサイドFET駆動タイプ「NB7123」シリーズと、ローサイドFET駆動タイプ「NB7130」シリーズを発売する。
PCIe 5.0採用の「世界最速級」クライアントSSD、サンディスク
サンディスクは、PCIe Gen 5.0を採用したクライアントSSD「WD_BLACK SN8100 NVMe SSD」を発表した。最大1万4000Mバイト/秒の書き込み速度、最大1万4900Mバイト/秒の読み出し速度を誇り、高負荷の用途に適する。
「業界最速」のデータセンター向け60TバイトSSD
マイクロンテクノロジーは、データセンター向け60TバイトSSD「Micron 6550 ION NVMe SSD」を発表した。最大電力で最大14Gバイト/秒、20Wの消費電力で12Gバイト/秒のパフォーマンスを実現している。
第2世代DDR5 MRDIMM向けメモリインタフェースチップセット
ルネサスエレクトロニクスは、第2世代のDDR5サーバ用MRDIMM向けのメモリインタフェースチップセットを発表した。同社が既に提供しているDDR5向けの温度センサー、SPDハブと組み合わせて使用できる。
従来比で18％小型化したUFS4.0対応組み込み式フラッシュメモリ
キオクシアは、新世代のUFS4.0対応組み込み式フラッシュメモリ製品のサンプル出荷を開始した。256Gバイト、512Gバイト、1Tバイトの3つの容量を提供する。パッケージは9×13mmサイズの153ボールBGAで、前世代より約18％小型化している。