高耐圧SiC MOSFET向けTO-247パッケージ、Navitas：6000V超の絶縁性能を実現

Navitas Semiconductorは、1200V〜3300Vの炭化ケイ素（SiC） MOSFET向けに6000V超の絶縁性能を備えた「UHV-TO-247-4-ISO」を開発した。熱性能やEMI特性を改善し、高電圧用途に対応する。

[EDN]

　Navitas Semiconductorは、1200V、2300Vおよび3300Vの炭化ケイ素（SiC） MOSFET向けに、6000V超の絶縁性能を備えたTO-247パッケージを開発した。「UHV-TO-247-4-ISO」と名付けられたこのスルーホールパッケージは、リフロー実装に対応した絶縁型サーマルパッドによって、直接冷却方式の熱管理をサポートする。また、ピン間沿面距離を12mm超確保し、コンパクトなディスクリートフォームファクターでモジュールレベルの性能を実現する。

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　標準的な非絶縁スルーホールパッケージと比較して、UHV-TO-247-4-ISOは外部の高電圧絶縁部材の必要性を低減するとともに、熱性能とEMI性能を改善する。こうした利点は、高電圧系統連系電力変換システム、ソリッドステートトランス、バッテリーエネルギー貯蔵システム、再生可能エネルギー用途などに及ぶ。

　UHV-TO-247-4-ISOは、窒化アルミニウム（AlN）基板を用いて高電圧絶縁機能をパッケージに統合し、チップとヒートシンク間の静電容量を低減することで、コモンモードノイズおよび放射EMIの低減に寄与する。リフロー実装対応の直接冷却型サーマルインタフェースによって、液冷または空冷ヒートシンクへ直接実装できるため、熱性能を向上させるとともに、外部の熱伝導材料（TIM）や絶縁材料を不要にする。また、AlN／AMB構造と堅牢なヒートシンクインタフェースによって、温度サイクルおよびパワーサイクル寿命も向上する。

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