オンセミがGaNポートフォリオ発表 磁気部品の小型化に貢献：40〜650Vの範囲に対応

オンセミは、GaNパワーポートフォリオ「GaNEXUS」を発表した。同社発表によると、AIサーバの低、中電圧システムにおいて約30〜60％、高電圧用途の高周波AC-DCおよび共振ステージで最大約60％、磁気部品を小型化できるという。

[EDN Japan]

　オンセミは2026年6月、窒化ガリウム（GaN）パワーポートフォリオ「GaNEXUS」を発表した。すでに米国で、40〜650Vの電圧範囲に対応する「GaNEXUS FET」と、保護機能を内蔵した「650V GaNEXUS Smart GaN FET」の初期サンプル出荷を開始している。日本国内での提供時期は未定だ。

GaNパワーポートフォリオ「GaNEXUS」 出所：オンセミ

　GaNEXUSは、高速スイッチングや低スイッチング損失、高電力密度、熱性能を特徴とする。AIデータセンターの電力供給や48Vシステム、ロボティクス、産業オートメーション、エネルギーインフラなど、高い電力需要を伴う用途を想定する。

　同社によると、AIサーバの48V中間バスコンバーター（IBC）やバッテリーバックアップユニット（BBU）、モーター駆動などの低、中電圧システムでは、磁気部品を約30〜60％小型化できるという。また電力密度が約1.5〜2倍に高まり、トポロジーに応じて効率が約0.5〜2％改善する。

高電圧用途でも磁気部品が最大6割小型化

　AIパワーシェルフや高電圧DC-DC変換、力率改善（PFC）、LLCパワーステージなどの高電圧用途では、高周波AC-DCおよび共振ステージで磁気部品のサイズを最大約60％低減できる。PFC、LLC、高電圧DC-DCアーキテクチャでは約1.5〜2倍の電力密度を可能にし、効率が約0.5〜1％向上する。

　システムリスクの低減やパワーステージ設計の簡素化、認定期間の短縮に寄与する。センシングや制御、保護、電力管理を統合した同社の「Treo」プラットフォームと組み合わせることで、システムレベルの電源ソリューションを構成できる。

　パッケージは、TOLL（ボトムクーリング）、TOLT（トップクーリング）、3.3×3.3mmまたは5×6mmのデュアルクーリングを採用。いずれもデュアルソース対応の業界標準フットプリントを用いた。

　同社は、シリコンおよび同社の炭化ケイ素（SiC）技術「EliteSiC」と組み合わせて同シリーズを展開する。これにより、電力供給チェーン全体で効率、熱性能、システムサイズ、トータルコストを最適化するための選択肢を提供する。