耐圧30VのpチャネルMOSFET、外形寸法が1.0×1.5mmの製品も：Vishay Si8497DB/Si8487DB

Vishayが発表した耐圧30VのpチャネルMOSFETは、小型パッケージと低オン抵抗を特徴としている。

[EDN Japan]

　Vishay Intertechnologyは2012年3月、耐圧30VのpチャネルパワーMOSFET「Si8497DB」と「Si8487DB」を発表した。スマートフォンやタブレット端末、POS（Point of Sales）端末、ノートPCなどのロードスイッチやバッテリスイッチの用途に向ける。サンプル出荷、量産出荷とも既に開始している。

　Si8497DB/Si8487DBは、いずれもVishay独自の技術である「TrenchFET Gen III」を適用している。同技術は、1平方インチ（6.45cm²）当たり10億個のトランジスタをシリコンチップ上に集積するもので、チップ面積やオン抵抗の低減に貢献するとしている。

　Si8497DBは、外形寸法が1.0×1.5mmという小型パッケージを採用した。高さは最大で0.59mm。オン抵抗は、ゲート-ソース間電圧が4.5Vのときに53mΩ、同2.5Vのときに71mΩ、同2.0Vのときに120mΩである（いずれも最大値）。

　一方、Si8487DBのパッケージは、外形寸法が1.6×1.6mm、高さは最大0.6mmとなっている。同サイズのpチャネルMOSFETとして、業界で最も低いオン抵抗を実現したとしている。具体的には、ゲート-ソース間電圧が10Vのときに31mΩ、4.5Vのときに35mΩ、2.5Vのときに45mΩとなっている（いずれも最大値）。