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低オン抵抗の100V耐圧NチャンネルパワーMOSFET：東芝 XK1R9F10QB

東芝デバイス＆ストレージは、48V系車載用途向けの100V耐圧NチャンネルパワーMOSFET「XK1R9F10QB」を発売した。低オン抵抗でスイッチングノイズも少ない。既に量産出荷を開始している。

» 2020年03月17日 09時00分公開

[EDN Japan]

　東芝デバイス＆ストレージは2020年2月、48V系車載用途向けの100V耐圧NチャンネルパワーMOSFET「XK1R9F10QB」を発売した。低オン抵抗でスイッチングノイズも少ない。同社の最新世代プロセスを採用したトレンチ構造MOSFET「U-MOS X-H（ユーモステンエイチ）」シリーズの第1弾製品で、既に量産出荷を開始している。

100V耐圧NチャンネルパワーMOSFET「XK1R9F10QB」

最大1.92mΩの低オン抵抗

　大きさは10.0×13.0×3.5mmで、3ピンの低抵抗パッケージのTO-220SM（W）を採用。最大オン抵抗は1.92mΩで、従来品「TK160F10N1L」と比べて約20％低く、機器の低消費電力化に貢献する。ドレインソース間電圧は100V、ドレイン電流（DC）が160A、チャンネル温度は175℃。

　MOS構造を最適化することでスイッチングノイズを削減しており、機器のEMI（電磁妨害）も低減できる。しきい値電圧幅は1Vで、並列使用時のスイッチング同期性にも貢献する。

　AEC-Q101に適合し、ロードスイッチ、スイッチング電源、モータードライブなど車載機器での利用を見込む。

48V系車載用100V耐圧NチャネルパワーMOSFET
東芝デバイス＆ストレージは、48V系車載用途向けの100V耐圧NチャンネルパワーMOSFET「XPH4R10ANB」「XPH6R30ANB」を発売した。ウェッタブルフランク構造のSOP Advanceパッケージを採用しており、基板実装状態の自動外観検査が可能だ。
30V耐圧の汎用NチャンネルMOSFET
トレックス・セミコンダクターは、30V耐圧の汎用NチャンネルMOSFET「XP231N0201TR」を発表した。静電対策として、ゲート保護ダイオードを内蔵する。
2段階ドライブ能力を持つ絶縁型ゲートドライバー
アナログ・デバイセズは、2段階のドライブ能力を持つ絶縁型ゲートドライバー「ADuM4122」を発表した。同ドライバーを採用することで、低速および高速スイッチングへの動的な移行が可能となり、高効率のままEM放射と消費電力を抑えられる。
低オン抵抗汎用PチャンネルMOSFET
トレックス・セミコンダクターは、低オン抵抗で高速スイッチング特性を備えた、汎用PチャンネルMOSFET「XP23」シリーズを発表した。オン抵抗は0.33～5Ωで、耐圧は30V、ドレイン電流は0.2～1.5Aとなっている。
電力密度を向上できる、60VのNチャネルMOSFET
ビシェイ・インターテクノロジーは、60VのNチャネルMOSFET「SiSS22DN」を発表した。標準ゲートドライブ向けに最適化され、オン抵抗は4mΩと、競合製品に比べて4.8％低い。
1200V、80mΩの産業・車載向けSiC MOSFET
オン・セミコンダクターは、産業用・車載用として認証済みのNチャンネルSiC MOSFETの新製品を発表した。インダストリアルグレードの「NTHL080N120SC1」と、AEC-Q101準拠のオートモーティブグレードの「NVHL080N120SC1」を提供する。