64Mビット1.2VシリアルNORフラッシュメモリ：ウィンボンド・エレクトロニクス W25Q64NE

ウィンボンド・エレクトロニクスは、64Mビットの1.2VシリアルNORフラッシュメモリ「W25Q64NE」を発表した。消費電力を削減できるほか、次世代SoCにもレベルシフターなしで直接接続できる。

[EDN Japan]

　ウィンボンド・エレクトロニクスは2022年3月、64Mビットの1.2VシリアルNORフラッシュメモリ「W25Q64NE」を発表した。既にサンプル出荷を開始している。

1.8V品と1.2V品の消費電力比較 出所：ウィンボンド・エレクトロニクス

　同製品を1.8VシリアルNORフラッシュメモリと比較すると、アクティブリードモードで動作周波数が50MHzの場合、1.8VシリアルNORフラッシュでは動作電流が4mA、消費電力が7.2mWとなる。W25Q64NEは、動作電流は同じ4mAだが、消費電力が4.8mWとなり、33％削減できる。

　モバイルやウェアラブルデバイスは、ほとんどの電力をアクティブモードで消費するため、低消費電力の同製品を用いることでバッテリー駆動時間を延長できる。

次世代SoCに直接接続可能

　従来の1.8Vや3VのシリアルNORフラッシュを用いる場合は、レベルシフターが必要となり、システム設計上のコスト増や複雑化の原因となる。W25Q64NEは、電源電圧範囲1.14〜1.6Vで動作するため、I/O電圧が1.8Vを下回る次世代SoC（System on Chip）にもレベルシフターなしで直接接続できる。

　標準SPIインタフェースに準拠し、データ転送速度は最大42Mバイト/秒。動作温度範囲は−40〜＋85℃だ。パッケージはSOIC8（208mil）やWSON8（6×5mm）、XSON8（4×4mm）、USON8（4×3mm）、WLCSPから選択できる。