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» 2022年04月28日 09時00分 公開

1200V耐圧SiC MOSFETディスクリート製品三社電機製作所 FMG50AQ120N6

三社電機製作所は、電流容量50Aの1200V耐圧SiC MOSFETディスクリート製品「FMG50AQ120N6」を発表した。独自の低損失内部配線と4ピン構造のTO-247パッケージにより、高速スイッチングと低損失を両立している。

[EDN Japan]

 三社電機製作所は2022年4月、電流容量50Aの1200V耐圧SiC(炭化ケイ素) MOSFETディスクリート製品「FMG50AQ120N6」を発表した。同月から販売する。

1200V耐圧SiC MOSFETディスクリート製品「FMG50AQ120N6」 出所:三社電機製作所

 同社は以前より、100Aおよび150AのSiC MOSFETモジュール製品を提供している。今回、50Aのディスクリート製品をラインアップに追加。産業用インバーターやEV(電気自動車)向け充電器、UPS(無停電電源装置)、各種スイッチング電源といった用途に適する。

高放熱、高絶縁のTO-247パッケージを採用

 FMG50AQ120N6は、同社独自の低損失内部配線と、放熱性、絶縁性に優れた4ピン構造のTO-247パッケージを採用。ソース端子のインダクタンスの影響を抑制し、高速スイッチングと低損失を両立する。

 SiC MOSFETチップは、不要なインダクタンスを抑える還流ダイオード機能を内蔵する。使用時に高効率を発揮するチップは、150℃の高温下でもオン抵抗特性の変化を抑える。

 また、閾値電圧が4.0V(Typ.)とゲート特性に優れ、高周波で駆動する際のノイズに伴う誤動作を防止する。短絡耐量を高めており、装置を安全に設計できる。

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