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» 2022年04月25日 09時00分 公開

低オン抵抗の150V耐圧NチャンネルパワーMOSFET東芝 TPH9R00CQH

東芝デバイス&ストレージは、150V耐圧NチャンネルパワーMOSFET「TPH9R00CQH」の販売を開始した。オン抵抗が最大9.0mΩと低く、素子構造を最適化することでオン抵抗とゲートスイッチ電荷量、出力電荷量のトレードオフを改善している。

[EDN Japan]

 東芝デバイス&ストレージは2022年3月、150V耐圧NチャンネルパワーMOSFET「TPH9R00CQH」の販売を開始した。低損失で電源効率が高く、データセンター、通信基地局などの通信機器用電源や、高効率DC-DCコンバーターなど産業機器用スイッチング電源に適する。

150V耐圧NチャンネルパワーMOSFET「TPH9R00CQH」 出所:東芝デバイス&ストレージ

オン抵抗は最大9.0mΩ

 TPH9R00CQHは、同社の最新世代プロセス「U-MOS X-H(ユーモス テンエイチ)」を採用した製品。ドレイン-ソース間オン抵抗は最大9.0mΩ(VGS=10V)と、従来プロセスU-MOSVIII-H製品「TPH1500CNH」より約42%低い。

 ゲートスイッチ電荷量は11.7nC、出力電荷量は87nCで、素子構造を最適化することで、オン抵抗とゲートスイッチ電荷量、出力電荷量のトレードオフを改善した。さらに、スイッチング時のスパイク電圧を減らし、スイッチング電源のEMI(電磁干渉)も抑えた。ドレイン電流(DC)は64A、チャンネル温度定格は175℃だ。

 表面実装タイプのパッケージで提供し、5.0×6.0mmのSOP Advanceと、4.9×6.1mmでより汎用性の高いSOP Advance(N)を用意している。

 回路設計の支援ツールとして、動作検証が短時間でできる「SPICEモデル(G0モデル)」のほか、過渡特性の精度を強化した「SPICEモデル(G2モデル)」も提供する。

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