低オン抵抗の150V耐圧NチャンネルパワーMOSFET：東芝 TPH9R00CQH

東芝デバイス＆ストレージは、150V耐圧NチャンネルパワーMOSFET「TPH9R00CQH」の販売を開始した。オン抵抗が最大9.0mΩと低く、素子構造を最適化することでオン抵抗とゲートスイッチ電荷量、出力電荷量のトレードオフを改善している。

[EDN Japan]

　東芝デバイス＆ストレージは2022年3月、150V耐圧NチャンネルパワーMOSFET「TPH9R00CQH」の販売を開始した。低損失で電源効率が高く、データセンター、通信基地局などの通信機器用電源や、高効率DC-DCコンバーターなど産業機器用スイッチング電源に適する。

150V耐圧NチャンネルパワーMOSFET「TPH9R00CQH」 出所：東芝デバイス＆ストレージ

オン抵抗は最大9.0mΩ

　TPH9R00CQHは、同社の最新世代プロセス「U-MOS X-H（ユーモス テンエイチ）」を採用した製品。ドレイン-ソース間オン抵抗は最大9.0mΩ（V_GS＝10V）と、従来プロセスU-MOSVIII-H製品「TPH1500CNH」より約42％低い。

　ゲートスイッチ電荷量は11.7nC、出力電荷量は87nCで、素子構造を最適化することで、オン抵抗とゲートスイッチ電荷量、出力電荷量のトレードオフを改善した。さらに、スイッチング時のスパイク電圧を減らし、スイッチング電源のEMI（電磁干渉）も抑えた。ドレイン電流（DC）は64A、チャンネル温度定格は175℃だ。

　表面実装タイプのパッケージで提供し、5.0×6.0mmのSOP Advanceと、4.9×6.1mmでより汎用性の高いSOP Advance（N）を用意している。

　回路設計の支援ツールとして、動作検証が短時間でできる「SPICEモデル（G0モデル）」のほか、過渡特性の精度を強化した「SPICEモデル（G2モデル）」も提供する。