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「ゲートドライバ」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

「ゲートドライバ」に関する情報が集まったページです。

インフィニオン CIPOS Tiny IM323-L6G:
IGBTとゲートドライバー内蔵、室内エアコン用IPM
インフィニオン テクノロジーズは、最新IPM「CIPOS Tiny IM323-L6G」を発表した。1.2kWまでの3相インバーターに適しており、ルームエアコンなどの家電製品、産業用モータードライブ、住宅用暖房換気空調設備システムでの利用を見込む。(2022/5/25)

インフィニオン MA5332MS:
クラスDオーディオアンプ用マルチチップモジュール
インフィニオン テクノロジーズは、アナログ2チャンネル入力のクラスDオーディオアンプ用マルチチップモジュール「MA5332MS」を発表した。4Ω時にヒートシンクなしで2×100Wを、あるいは8℃/Wのヒートシンクを用いて2×200Wを供給できる。(2022/3/22)

東芝 TCK42xGシリーズ:
過電圧防止機能搭載のMOSFETゲートドライバIC
東芝デバイス&ストレージは、外部NチャンネルMOSFETのバックトゥバック接続に対応したMOSFETゲートドライバIC「TCK42xG」シリーズ第1弾として、20V電源ライン向け「TCK421G」の出荷を開始した。(2022/2/28)

STマイクロ 第3世代SiCパワーMOSFET:
次世代EVや産業向け第3世代SiCパワーMOSFET
STマイクロエレクトロニクスは、第3世代SiCパワーMOSFETを発表した。電力密度や電力効率、信頼性を必要とする車載用および産業用途に適する。(2022/1/21)

求められるEPSやブレーキの“冗長化”:
PR:電動化/自動運転時代のシャシー技術トレンド ―― サイズ/コスト課題を解決する半導体が続々登場へ
ステアリングやブレーキ、サスペンションといった自動車の走行の足回りを担うシャシー領域もさまざまな変化を遂げようとしている。シャシー領域に変化をもたらす3つの技術トレンドを紹介するとともに、シャシーの進化を支えていく新たな半導体デバイスをいくつか紹介していこう。(2021/11/10)

分散型電源アーキテクチャの構成が容易に:
PR:EV用インバーターの小型化を一気に加速、トランス内蔵のDC/DCバイアス電源モジュール
電気自動車(EV)の電源アーキテクチャでは、小型化や信頼性向上のために、各ゲートドライバに個別のバイアス電源を割り当てる分散型電源アーキテクチャへの関心が高まっている。Texas Instruments(TI)の絶縁型DC/DCバイアス電源モジュール「UCC14240-Q1」は、トランスと閉ループ制御を統合することで小型化を実現し、分散型電源アーキテクチャに活用しやすくなっている。(2021/10/26)

日本TI MCF8316A、MCT8316A:
センサーレス70WブラシレスDCモータードライバ
日本テキサス・インスツルメンツは、コーディング不要のセンサーレス70WブラシレスDCモータードライバ「MCF8316A」「MCT8316A」を発表した。高速応答と静音性能を必要とする家電や医療デバイスに適する。(2021/9/24)

最大140W(28V/5A)の受給電に対応:
インフィニオン「業界初」USB PD 3.1対応マイコンを発表
インフィニオン テクノロジーズ ジャパンは2021年8月31日、最大28Vの高電圧で140Wの電力を受給電できるUSB Power Delivery(USB PD)3.1に対応するマイコン「EZ-PD PMG1ファミリー」を発表した。同製品は2021年9月1日に開幕したオンライン展示会「ITmedia Virtual EXPO 2021 秋」の同社ブースで公開されている。(2021/9/1)

建物の全配電網にインテリジェンス統合を:
Infineon、電気制御のデジタル化に向けAmberと協業
Infineon Technologies(以下、Infineon)とAmber Solutions(以下、Amber)が協業を発表した。Amberが開発した半導体アーキテクチャによって電気のデジタル制御を実現する技術を、共同で製品化していく考えだ。(2021/7/15)

インフィニオン 6EDL7141:
モーター制御用3相ゲートドライバIC
インフィニオン テクノロジーズは、モーター制御用3相ゲートドライバICの「EiceDRIVER 6EDL7141」を発表した。フルプログラム可能で、バッテリー駆動の工具、ドローン、電動バイク、ロボットなどに適する。(2021/6/28)

オンセミ NXH010P120MNF1、NXH006P120MNF2:
EV充電向けのSiC MOSFETモジュール
オン・セミコンダクターは、EV充電ステーション向けの1200VフルSiC MOSFET 2パックモジュール「NXH010P120MNF1」「NXH006P120MNF2」を発表した。プレーナー技術を活用し、18〜20Vの駆動電圧に対応する。(2021/6/18)

STマイクロ STGAP2SiCS:
駆動電流4Aの絶縁型ゲートドライバ
STマイクロエレクトロニクスは、絶縁型ゲートドライバ「STGAP」ファミリーに、駆動電流4Aの「STGAP2SiCS」を追加した。6kVのガルバニック絶縁を内蔵し、最大1200Vの高電圧レールで動作する。(2021/4/5)

STマイクロ STDRIVE101:
低電圧アプリケーション向けゲートドライバ
STマイクロエレクトロニクスは、3相ブラシレスDCモーターの駆動に適した低電圧ゲートドライバIC「STDRIVE101」を発表した。電動工具、ポンプ、ファン、軽機械、ゲーム機器など、75Vまでの低電圧機器に適する。(2021/1/18)

インフィニオン EiceDRIVER 2EDL8ファミリー:
5G基地局用ゲートドライバIC
インフィニオン テクノロジーズは、5GおよびLTEマクロ基地局用の新たなゲートドライバICファミリー「EiceDRIVER 2EDL8」を発表した。120Vブートストラップダイオードを内蔵し、チャンネル間伝搬遅延マッチングは標準値±2ナノ秒となる。(2021/1/5)

ソシオネクスト SC1702、SC1701:
車載向けスマートディスプレイコントローラー
ソシオネクストは、車載向けディスプレイコントローラーの製品群に、高解像度ワイドディスプレイに対応した「SC1702」と、メーターディスプレイへの安全機能実装に対応した「SC1701」シリーズの新製品を追加した。(2020/12/23)

価格はシリコンと同水準、UnitedSiC:
「業界最高の性能指数を実現」する750V耐圧SiC FET
米国UnitedSiCは2020年12月1日(現地時間)、同社の「第4世代SiC FET」として、750V耐圧の新製品を発表した。同社は、単位面積当たりのオン抵抗やスイッチング性能など、「業界最高の性能指数」を実現したと説明している。またコスト面でも、「スーパージャンクション(SJ)構造のシリコンMOSFETのプレミアム品とほぼ同水準の価格だ」という。(2020/12/4)

最終製品の大幅な小型、軽量化を実現:
ハーフブリッジドライバとGaN-HEMTを集積したSiP
STマイクロエレクトロニクスは、ハーフブリッジゲートドライバと2つのGaN-HEMT(窒化ガリウムを用いた高電子移動度トランジスタ)を集積したSiP(System in Package)製品プラットフォーム「MasterGaN」を開発した。(2020/11/6)

インフィニオン HybridPACK DC6i:
トラクションインバーター向けパワーモジュール
インフィニオン テクノロジーズは、中出力電気自動車用トラクションインバーター向けのIGBTパワーモジュール「HybridPACK DC6i」を発表した。最新の車載向けIGBT「EDT2」を搭載している。(2020/8/25)

サンケン電気 MD6752:
2コンバーター構成電源を1パックで制御するIC
サンケン電気は、2コンバーター構成電源を1パッケージで制御可能なデジタル制御電源IC「MD6752」を開発した。コンバーター回路の簡素化により、電源基板サイズを10%小型化できる。(2020/6/3)

次世代パワー半導体:
GaNで高効率な電源設計を、駆動方法がポイントに
あらゆるパワーエレクトロニクスアプリケーションにおける主要評価基準の一つが電力密度です。これは、効率やスイッチング周波数の向上によって大幅に改善されます。シリコンをベースとした技術は進化の限界に近づいているため、設計エンジニアはソリューションを提供すべくGaN(窒化ガリウム)などのワイドバンドギャップ技術に関心を向け始めています。(2020/4/22)

パワー・インテグレーションズ 1SP0351:
新しいプレスパックIGBTモジュール用ゲートドライバ
パワー・インテグレーションズは、プラグアンドプレイゲートドライバ「1SP0351」を発表した。同社のSCALE-2チップセットをベースにしており、同チップセットの高度な制御技術により、従来と比較して部品点数を85%削減できる。(2020/4/3)

ロームが無償提供を開始:
パワー素子とICを一括検証できるWebシミュレーター
ロームは2020年2月、Webサイト上で電子回路シミュレーションを実施できる無償ツール「ROHM Solution Simulator」の提供を開始した。提供開始時点で、SiC(炭化ケイ素)パワーデバイスや駆動IC、電源ICなどのローム製半導体製品を使用した44種の回路でシミュレーション検証を実施でき、今後、回路種や対応半導体製品を広げていく。(2020/3/4)

STマイクロ STSPIN32F0251、STSPIN32F0252、TSPIN32F0601、STSPIN32F0602:
250V、600V耐圧のブラシレスDCモータードライバIC
STマイクロエレクトロニクスは、ブラシレスDCモータードライバIC「STSPIN32F0」ファミリーに、250V耐圧の「STSPIN32F0251」「STSPIN32F0252」、600V耐圧の「TSPIN32F0601」「STSPIN32F0602」の4種類を追加した。(2020/2/28)

ゲートドライバとの組み合わせで:
TIのGaNパワー半導体ビジネスの狙いと勝算
Texas Instruments(TI)はパワー半導体市場でどのような戦略を立て、競合に対抗していくのか。同社ハイボルテージ・パワー部門バイスプレジデント兼ジェネラル・マネージャを務めるSteve Lambouses氏にインタビューした。(2019/12/6)

電源システム解説:
48VマイルドHVにガルバニック絶縁が必要な理由
48Vバッテリー電源を使用する自動車では、ガルバニック絶縁を考慮することが非常に重要です。絶縁は、グラウンドノイズに対する耐性に活用されるとともに、12Vシステムが接続する48Vシステムでグラウンドリフトや障害が発生した場合に12Vシステムを保護します。統合型の絶縁CANトランシーバーは、プッシュプルをベースとした絶縁DC/DC電源と組み合わせることで、48Vシステムを絶縁するためのコンパクトで効率が良く、堅牢で低ノイズの技術を提供します。(2019/7/1)

新電元工業がいち早く製品化!:
PR:GaNパワー半導体の弱点を克服する大容量/高速安定動作可能なパワーモジュール登場
より高い電力変換効率が期待できるGaN(窒化ガリウム)などの新材料を用いた次世代パワー半導体は、既に実用化段階にある。しかし、電力変換/制御システムに搭載するには、設計の難易度が高いなど課題を抱える。そうした課題を解決し、実用化を前進させる大容量/高速安定動作可能なGaNパワーモジュールが登場した。(2019/6/18)

STマイクロ STSPIN32F0B:
シングルシャント型BLDCモーターコントローラー
STマイクロエレクトロニクスは、コスト効率の高いシングルシャント電流検知に対応したBLDCモーターコントローラー「STSPIN32F0B」を発表した。開発期間短縮および部材のコスト低減を可能にする。(2019/6/13)

アナログ回路設計講座(22):
PR:始動するPoE++(IEEE 802.3bt)―― PoE++対応受電装置を実現するために
IEEEの次世代Power over Ethernet(PoE)規格「IEEE 802.3bt/PoE++」がいよいよ始動しました。本稿では、この最新PoE規格と、規格の魅力をさらに引き出すチップセット「LTC4291-1/LTC4292」を解説します。(2019/5/10)

TECHNO-FRONTIER 2019:
STマイクロ、生産設備の予知保全などを可能に
STマイクロエレクトロニクスは、「TECHNO-FRONTIER 2019(テクノフロンティア)」で、産業機器のスマート化/IoT(モノのインターネット)化を加速するためのソリューションを提案した。(2019/4/19)

集積化で実現:
MOSFETを内蔵した降圧レギュレーターで電力密度を向上
集積化は半導体エレクトロニクスの基本であり、類似機能や補完機能を単一デバイスに統合する技術が、業界全体に活気をもたらします。パッケージング、ウエハー処理、リソグラフィの進歩と相まって、フィーチャ密度も上昇し続けており、物理的サイズと電力の両面においてより効率の良いソリューションの提供につながります。(2019/3/25)

インフィニオン CIPOS Maxi IM818シリーズ:
最大1.8kWの産業用モータードライブ向けIPM
Infineon Technologiesは、IPMファミリーに、最大1.8kWの産業用モータードライブ向けの1200V IPM「CIPOS Maxi IM818」シリーズを追加した。6チャンネルSOIゲートドライバや、温度サーミスタなどを装備している。(2018/11/19)

STマイクロエレクトロニクス STHV1600:
産業・医療用超音波装置に適した16チャネルの高性能超音波パルサーIC
STマイクロエレクトロニクスは、産業および医療用の超音波装置向けに、新しい超音波パルサーIC「STHV1600」を発表した。(2018/9/3)

STマイクロ STHV1600:
16チャンネル高性能超音波パルサーIC
STマイクロエレクトロニクスは、医療、産業用超音波装置向けのパルサーIC「STHV1600」を発表した。16個の独立したチャンネルによる高分解能のビームフォーミング機能に、高電圧パルサー、メモリを集積。最終製品の小型化に貢献する。(2018/8/27)

東芝 TPD7212F:
車載3相ブラシレスモーター用ゲートドライバ
東芝デバイス&ストレージは、車載3相ブラシレスモーター用パワーMOSFETのゲートドライバIPD「TPD7212F」を発表した。ハイサイドドライブ用のチャージポンプ回路を内蔵し、3相フルブリッジ回路を容易に構成できる。(2018/8/10)

ガルバニック絶縁を内蔵:
STマイクロ、パワー半導体向けゲートドライバ
STマイクロエレクトロニクスは、SiC(炭化ケイ素)パワーMOSFETなどを制御するためのガルバニック絶縁ゲートドライバ「STGAP2S」を発表した。(2018/8/7)

DC-DCコンバーター活用講座(21) DC-DCコンバーターの保護(2):
DC-DCコンバーターの出力過電圧保護と入力過電圧保護
今回は、DC-DCコンバーターの出力過電圧保護と入力過電圧保護について解説します。(2018/7/23)

トランスフォーム TP65H035WS:
650V GaN FETパワー半導体をPFCに採用
トランスフォームは、同社の高電圧650V GaN(窒化ガリウム)FETパワー半導体「TP65H035WS」が、シーソニックエレクトロニクスの1.6kWブリッジレストーテムポールPFC(力率改善)プラットフォーム「1600T」に採用されたと発表した。(2018/6/27)

今後は、より高耐圧、高出力に:
SiC/GaN向け非対称出力DC-DCコンなどを展示 RECOM
RECOMグループのRECOM ASIAは「TECHNO-FRONTIER 2018(テクノフロンティア)」で、IGBTやSiC、GaNゲートドライバ回路向けのDC-DCコンバーターなどを展示した。(2018/4/26)

福田昭のデバイス通信(135) 2月開催予定のISSCC 2018をプレビュー(11):
技術講演の最終日午前(その4)、周波数を88倍に高めるクロック発生回路
「ISSCC 2018」最終日の技術講演から、セッション23〜25のハイライトをお届けする。周波数が300GHzと極めて高い発振器の他、GaNデバイスを駆動する電源回路技術、5GHzのクロックを発生する回路などが紹介される。(2018/1/31)

STマイクロ PWD13F60:
4個のパワーMOSFETを集積したフルブリッジSiP
STマイクロエレクトロニクスは、定格600Vの単相パワーMOSFETフルブリッジを搭載した、13×11mmの小型システムインパッケージ(SiP)「PWD13F60」を発表した。パワーMOSFET用のゲートドライバと保護回路を内蔵している。(2017/12/28)

PR:このデザインを待っていた! 「EDGEST」が復活した「AQUOS R compact」の新しさ
シャープの新型スマートフォン「AQUOS R compact」が登場。「EDGEST fit」デザインを採用することで、狭額縁とラウンドフォルムを両立させた。機能も妥協しておらず、小型ボディーと性能のどちらも求める人にオススメしたい。(2017/12/18)

日本TI UCC256301:
スタンバイ電力40mW以下のLLC共振コントローラー
日本テキサス・インスツルメンツ(日本TI)は、高電圧ゲートドライバを集積したLLC共振コントローラー「UCC256301」を発表した。スタンバイ電力は40mW以下で、10%負荷時に90%以上の効率を提供する。(2017/11/14)

EPC EPC9083:
最大15MHzで動作可能な60WのE級アンプ開発基板
エフィシエント・パワー・コンバージョン(Efficient Power Conversion:EPC)は、耐圧200VのeGaN FETを搭載した60WのE級アンプ開発基板「EPC9083」を発表した。最大15MHzまで動作でき、ワイヤレスパワー用途で一般的な6.78MHzに対応する。(2017/9/27)

パワーアダプター特化型に、Thunderbolt 3対応も!:
PR:USB Type-Cの“万能さ”を引き出す多彩なコントローラIC群
USB Type-Cは、高速データ転送とともに、最大100Wを受給電できる万能インタフェースとして、さまざまな電子機器のインタフェースを置き換えつつある。PCをはじめ、モニターや周辺機器、さらにはスマートフォンやゲーム機などがUSB Type-Cを採用しつつある。そこで、さまざまな電子機器でUSB Type-C対応を実現しているコントローラICを紹介する。(2017/8/22)

日本TI TIDA-00915:
GaN半導体をベースとした三相インバーター
日本テキサス・インスツルメンツ(日本TI)は、GaN(窒化ガリウム)半導体をベースとした三相インバーターのレファレンスデザイン「TIDA-00915」を発表した。GaNパワーステージ「LMG3410」を搭載し、24kHz時に99%以上の高効率動作を可能にした。(2017/7/6)

ADI LTC7820:
最大500W供給できるチャージポンプDC-DC制御IC
アナログ・デバイセズ(ADI)は、最大500Wを供給できる固定比率のチャージポンプDC-DCコントローラー「LTC7820」を発売した。非絶縁型中間バスコンバーターのパワーインダクターを不要にし、回路のサイズを最大50%削減した。(2017/7/4)

PCIM Europe 2017:
SiC/GaNをより使いやすく、日本の新興企業が提案
headspring(ヘッドスプリング)は、ドイツ・ニュルンベルクで開催されたパワー半導体の展示会「PCIM Europe 2017」(2017年5月16〜18日)で、GaNやSiCパワーデバイスを搭載した研究開発用のツールキットを展示した。(2017/6/1)

ADI ADuM4120/ADuM4121:
SiC、GaNパワー半導体対応の絶縁ゲートドライバ
アナログ・デバイセズ(ADI)は2017年5月23日、高いコモンモード過渡電圧耐性性能と低伝搬遅延を両立した小型の絶縁ゲートドライバ4製品を発表した。(2017/5/24)

オートモーティブワールド 2017:
ヴェンチュリー・フォーミュラEのインバーター、SiCパワーデバイスで体積3割減
ロームは「オートモーティブワールド2017」において、電気自動車のフォーミュラカーレース「フォーミュラE」で採用実績のあるSiCパワーデバイスを紹介した。(2017/1/31)

満を持してダイアログが投入:
“オールGaN”のパワーICでアダプターが1/2に小型化
Dialog Semiconductor(ダイアログ・セミコンダクター)が、GaNパワーICを発表した。これによって同社は、GaNパワー半導体市場に本格的に参入する。同社は2016年8月24日、東京都内で記者説明会を開催し、GaNパワーIC「SmartGaN DA8801」の詳細を説明した。(2016/8/26)


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にわかに地球規模のトピックとなった新型コロナウイルス。健康被害も心配だが、全国規模での臨時休校、マスクやトイレットペーパーの品薄など市民の日常生活への影響も大きくなっている。これに対し企業からの支援策の発表も相次いでいるが、特に今回は子供向けのコンテンツの無料提供の動きが顕著なようだ。一方産業面では、観光や小売、飲食業等が特に大きな影響を受けている。通常の企業運営においても面会や通勤の場がリスク視され、サーモグラフィやWeb会議ツールの活用、テレワークの実現などテクノロジーによるリスク回避策への注目が高まっている。

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