広動作温度範囲のレーザーダイオードチップ：三菱電機 ML7CP70

三菱電機は、5～85℃で動作可能な100Gビット/秒の光トランシーバー向けレーザーダイオードチップ「ML7CP70」を開発した。2021年11月1日からサンプル提供を開始する。

» 2021年11月02日 16時25分公開

[EDN Japan]

　三菱電機は2021年10月、100Gビット/秒の光トランシーバー向けレーザーダイオードチップ「ML7CP70」を発表した。同年11月1日からサンプル提供を開始する。サンプル価格はオープンとなっている。

（左）「ML7CP70」チップ構造のイメージ、（右）53Gbaud PAM4波形

　ML7CP70は、同社独自のハイブリッド導波路構造を採用しており、埋め込み型レーザーとハイメサ型変調器を同一のチップ上に集積している。レーザー部および変調器部の設計パラメーターを最適化することで、5～85℃の温度範囲で53Gbaud PAM4の高速動作を可能とした。

CWDMで4種の波長を採用

　1本の光ファイバーで20nm間隔の複数波長の信号を伝送する波長多重化通信技術「CWDM（Coarse Wavelength Division Multiplexing）」を採用しており、発振波長は1271nm、1291nm、1311nm、1331nmの4種となっている。

　ML7CP70を光トランシーバーに4つ搭載することで、データセンターで400Gビット/秒の光ファイバー通信が可能となる。また、広い温度範囲で動作するため、チップ内の冷却機構が不要となっており、光トランシーバーの低消費電力化やコスト低減に寄与する。

LiDAR用75W高出力半導体レーザーダイオード
ロームは、LiDAR用75W高出力半導体レーザーダイオード「RLD90QZW3」を開発した。225μmの狭発光幅と21％の電力光変換効率を備え、AGVやロボットに搭載するLiDARの長距離対応と高精度化に貢献する。
メニスカスレンズ内蔵の赤色高出力半導体レーザー
三菱電機は、独自のメニスカスレンズを内蔵した、発光波長638nmの赤色高出力半導体レーザー「ML562H84」を発表した。レーザー光の利用効率は98％以上で、コリメートレンズを外付けした従来品と同等のパルス駆動光出力2.5Wを達成している。
DC1500V対応の2.0kV耐電圧IGBTモジュール
三菱電機は、産業向け2.0kV IGBTモジュール「T」シリーズとして、「CM400DY-40T」を発売する。DC1500Vの電力変換機器に適したIGBTモジュールで、同社によると2.0kV耐電圧は業界初となる。
出力30Wの衛星通信地球局用GaN HEMT
三菱電機は、「Ku帯衛星通信地球局用 GaN HEMT」の新製品として、出力電力30Wでマルチキャリア通信に対応した「MGFK45G3745A」および、シングルキャリア通信に対応した「MGFK45G3745」を発売する。
白物家電インバーターのパワー半導体モジュール
三菱電機は、白物家電のインバーターを駆動するパワー半導体モジュール「SLIMDIP-W」を発表した。低ノイズ化と高キャリア周波数時の電力損失を低減し、白物家電の省エネおよび騒音低減を可能にする。
638nm赤色高出力半導体レーザー
三菱電機は、プロジェクター用光源の新製品として、発光波長638nmの赤色高出力半導体レーザー「ML562G86」を発表した。レーザー素子の構造や製造プロセスを改良し、パルス駆動光出力3.0WにおいてMTTFが2万時間以上を達成した。