UFS4.1対応の組み込み式QLCフラッシュメモリ、キオクシア：書き込み増幅率3.5倍改善

キオクシアは、QLC技術を採用したUFS4.1組み込み式フラッシュメモリ製品のサンプル出荷を開始した。第8世代BiCS FLASHを採用し、前世代品と比べてランダムリード性能が約90％向上している。

[EDN Japan]

QLC採用のUFS4.1組み込み式フラッシュメモリ 出所：キオクシア

　キオクシアは2026年1月、4ビット/セル（QLC）技術を採用したUFS4.1組み込み式フラッシュメモリ製品のサンプル出荷を開始した。

　同製品は、キオクシアの3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH」の第8世代品を搭載した。従来の3ビット/セル（TLC）技術よりもビット密度が高いQLCを採用していて、ストレージの大容量化に寄与する。

　512Gバイトと1Tバイトの容量タイプをラインアップにそろえ、スマートフォンやPC、拡張現実（AR）、仮想現実（VR）、AI対応デバイスなど幅広い用途を見込む。

ランダムライト性能が約95％改善

　書き込み性能を高めるWriteBoosterをサポートした。前世代品であるUFS4.0対応のQLC製品と比較して、シーケンシャルライト性能が約25％、ランダムリード性能が約90％、ランダムライト性能が約95％向上し、書き込み増幅率（WAF）は最大3.5倍改善したという（WriteBooster無効時）

　JEDEC規格に準拠したパッケージにメモリとコントローラーを封止した。パッケージサイズは、従来の11×13mmから9×13mmに縮小している。