キオクシアは、オンデバイスAIに対応したモバイル機器やエッジデバイス向けに、UFS 5.0対応組み込み式フラッシュメモリの1Tバイトおよび512Gバイト品のサンプル出荷を開始した。
キオクシアは2026年7月、オンデバイスAIに対応したモバイル機器やエッジデバイス向けに、UFS 5.0対応組み込み式フラッシュメモリの1Tバイト品と512Gバイト品のサンプル出荷を開始した。同年中の量産開始を予定している。
同製品は、同社が開発したUFS 5.0コントローラーと、第8世代「BiCS FLASH」3次元フラッシュメモリを組み合わせたもので、JEDEC UFS 5.0規格に準拠した。
物理層にMIPI M-PHY version 6.0、プロトコルにUniPro version 3.0を採用。HS-Gear6動作時は、理論値で1レーン当たり最大46.6Gビット/秒のインタフェース速度に対応する。2レーン構成では、約10.8Gバイト/秒の実効読み書き性能を達成。シーケンシャルリード性能は最大10Gバイト/秒、1Tバイト品のシーケンシャルライト性能は最大9.0Gバイト/秒だ。
パッケージは7.5×13mmのBGAを採用し、前世代品よりも小型化した。電力効率や熱制御機構も向上している。容量は1Tバイトと512Gバイトを用意する。
同社は、オンデバイスAIを備えたスマートフォン、AI対応タブレット、拡張現実(AR)および仮想現実(VR)デバイス、ゲームシステム、ロボット、産業用エッジ機器などの用途を見込む。
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第8世代BiCS FLASH採用の車載向けUFS 4.1メモリ キオクシアCopyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
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