同期整流向けに最適化、60V耐圧パワーMOSFET：STマイクロ STripFET F7

STマイクロエレクトロニクスは、トレンチゲート構造のMOSFETシリーズ「STripFET F7」として、新たに耐圧60VのパワーMOSFET製品を発表した。

[EDN Japan]

　STマイクロエレクトロニクスは2015年9月、トレンチゲート構造のMOSFETシリーズ「STripFET F7」として、新たに耐圧60VのパワーMOSFET製品を発表した。通信機器、サーバー、PC、産業機器などの電源や、太陽光発電用マイクロインバータのDC-DCコンバータ用途などに向ける。

　STripFET F7は、トレンチゲート構造を簡略化することで、導通効率とスイッチング性能を改善した。これにより、オン抵抗や容量、ゲート電荷を極めて小さく抑えるとともに、性能指数を高めている。また、ボディダイオードの逆回復電荷が小さく、高速スイッチングを可能とした。この他、高いアバランシェ耐性により堅牢性を高めるとともに、帰還容量対入力容量比を低く抑えることでEMI耐性を向上させた。

　新製品の耐圧60VパワーMOSFETは、同期整流向けに最適化した。出力電流やパッケージにより12品種を用意した。最大出力電流は90〜260Aである。パッケージは、外形寸法が5×6mmと3.3×3.3mmの「PowerFLAT」、「DPAK」、「D2PAK」、「TO-220」、「TO-220FP」、及び2/6端子の「H2PAK」で提供する。

60V耐圧パワーMOSFETの外観

　すでに全製品とも量産中である。価格は出力電流90Aで、PowerFLAT（5×6mm）製品の場合、1000個購入時の単価が約0.98米ドルである。