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新規格UFS 3.1準拠の組み込み型UFS：ウエスタンデジタル iNAND MC EU521

Western Digital（WD）は、組み込み型UFSの新製品「iNAND MC EU521」を発表した。JEDECの新規格「UFS 3.1」に準拠した書き込みブースター技術により、スマートフォンの5Gモバイルアプリケーション向けに最適化している。

» 2020年03月12日 09時00分公開

[EDN Japan]

　Western Digital（WD）は2020年2月、組み込み型UFS（ユニバーサルフラッシュストレージ）の新製品「iNAND MC EU521」を発表した。同年3月から128Gバイトと256Gバイトの2モデルの提供を開始する。

組み込み型UFS「iNAND MC EU521」

　iNAND MC EU521はJEDEC（半導体技術協会）の新規格「UFS 3.1」に準拠した書き込みブースター技術によって、スマートフォンの5G（第5世代移動通信）モバイルアプリケーション向けに最適化している。UFS 3.1は、同年1月にリリースされたフラッシュストレージの規格で、書き込みブースター技術は、このバージョンで新たに追加された技術の1つだ。

最大800Mバイト/秒のターボシーケンシャル書き込み速度

　iNAND MC EU521のターボシーケンシャル書き込み速度は最大で800Mバイト/秒となっており、4Kや8Kメディアのダウンロード、大容量ファイルの転送、ゲームなどにおいて、利用時の快適度が高まる。また、SLC（シングルレベルセル）NANDキャッシュと5Gとの組み合わせにより、動画ダウンロードが高速化するなど主要な性能の向上が期待できる。

96層の3D NANDフラッシュを採用した産業用SSD
Transcend Informationは、BiCS4 3D TLC NANDフラッシュメモリを採用した産業用SSD「MTE452T」シリーズを発表した。フォームファクターにはM.2 2242、インタフェースにはNVMe 1.3準拠のPCIe Gen 3 ×2を採用している。
NVMe規格に対応するPCIe接続SSD
ウエスタンデジタルは、NVMe規格に対応するPCIe接続SSDを発表した。PCIe Gen3 ×4 NVMeをベースとし、従来のSATA SSDの3倍以上となるシーケンシャル読み取り速度を可能にした。
大容量データを保存できる4MビットEEPROM
STマイクロエレクトロニクスは、大容量データを保存可能な4MビットEEPROM「M95M04」を発表した。膨大なデータを取得、保存できる上、低消費電力で電力効率に優れる。データ保持期間は40年で、400万回以上書き込み可能だ。
バックアップ機能を備えた低コストEERAM
マイクロチップ・テクノロジーは、従来のシリアルNVRAMに対してコストを最大25％カットできるSPI EERAMメモリ製品ファミリーを発表した。電源供給が中断しても、外付けバッテリーなしでSRAMの内容を保持できる。
最大125℃の高温動作を保証する2MビットFRAM
富士通セミコンダクターは、最大125℃での動作を保証する、2Mビット（256K×8ビット）FRAM「MB85RS2MTY」を発表した。－40～＋125℃の温度範囲で動作し、EEPROMの約1000万倍となる10兆回の書き換え回数を保証する。
供給不足を補うDDR3 DRAMモジュール
ATP Electronicsは、大容量の「ATP DDR3 8Gb DRAM」を搭載したDRAMモジュールを発表した。DDR4プラットフォームにアップグレードできないネットワークや組み込み機器に対応し、DDR3 DRAMの供給不足を補うことができる。