2mm角と小さい携帯向けパワーMOSFET、「業界トップ」の低損失をうたう：ルネサス μPA2600/2601

ルネサス エレクトロニクスが携帯機器のロードスイッチや充放電制御などに使える小型・低損失のパワーMOSFETを発表した。取り扱える電力の大きさが1W以下のいわゆる「セミパワーMOSFET」である。外形寸法が2mm角と小さく、機器の小型化に役立つ。

[EDN Japan]

　ルネサス エレクトロニクスは2012年4月、2×2mmの小型パッケージ封止ながらオン抵抗を低く抑えたパワーMOSFETを発表した。取り扱える電力の大きさが1W以下のいわゆる「セミパワーMOSFET」である。オン抵抗の大きさは、nチャネル型で耐圧が20Vの「μPA2600」が標準9.3mΩ（4.5V時）、同30Vの「μPA2601」が標準10.5mΩ（10V時）。2mm角の品種では「業界トップの低損失だ」（同社）と主張する。携帯型機器において、ロードスイッチや充放電制御、高周波パワーアンプのオン/オフ制御、過電流遮断スイッチなどに使える。

パッケージ寸法は2×2mmと小さい（クリックで画像を拡大）。

　ヒートシンクが外部に露出するタイプのパッケージを採用し、パッケージの熱をプリント基板に効率良く放熱できるように工夫することで小型化を実現した。3×3mmの同社従来品「μPA2672」などに比べて実装面積を約6割削減でき、機器の小型化、軽量化に役立つという。

　上記2品種の他に、同じ2mm角のパッケージで、封止するパワーMOSFET素子が異なる6品種も用意した。pチャネル型の「μPA2630」や、nチャネル型とpチャネル型の2素子を封止した「μPA2690」などがある。耐圧は品種によって異なり、12〜30V。

　8品種ともにサンプル出荷は2012年4月から開始する。サンプル価格は30円。2012年6月から量産出荷を開始する予定。量産規模は、2013年上期に8品種を合わせて月産300万個を見込む。